| 摘要 |
산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터를 사용한 반도체 장치에서, 전기 특성의 변화를 억제할 수 있고 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 반도체 장치는 게이트 전극, 게이트 전극 위의 제 1 절연막, 제 1 절연막 위의 산화물 반도체막, 산화물 반도체막에 전기적으로 접속된 소스 전극, 및 산화물 반도체막에 전기적으로 접속된 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터를 포함한다. 트랜지스터 위에 제 2 절연막이 제공되고, 제 2 절연막 위에 보호막이 제공된다. 제 2 절연막은 산소를 포함한다. 보호막은 산화물 반도체막에 사용되는 금속 원소 중 적어도 하나를 포함한다. |
