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发明名称
HEAT TREATMENT DEVICE FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号
JPH01260815(A)
申请公布日期
1989.10.18
申请号
JP19880090121
申请日期
1988.04.11
申请人
NEC KYUSHU LTD
发明人
INABA ITSURO
分类号
H01L21/31;H01L21/22
主分类号
H01L21/31
代理机构
代理人
主权项
地址
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