主权项 |
1﹒一种热磁性记录方法,其主要使用含有积层膜之热磁性记录媒体,该积层膜是将具有垂直磁性异方性之第1及第2磁性薄膜予以磁性结合积层而来,而将加热至大约上述第1磁性薄膜之居里温度Tc1以上,且使上述第2磁性薄膜之磁矩不致产生反转之温度T1的第1加热状态与加热至上述温度Te1以上且可使上述第2磁性薄膜之磁矩产生反转之温度T2的第2加热状态,使该2个状态能对应所要记录之资料信号而调变,且分别自加热状态将其冷却,并于上述热磁性记录媒体形成记录磁化,而其特征在于:在上述第1.第2磁性薄膜之间乃设有第3磁性薄膜,而该薄膜具备面内磁性异方性或较第1.第2磁性薄膜为弱的垂直磁性异方性,且其垂直磁性异方性能量在1X106erg/cm3以下。2﹒如申请专利范围第1项所述之热磁性记录方法,上述第3磁性薄膜,其实效磁性异方性常数之温度特性乃为上凸或直线状,而其饱和磁化Ms为0-450emu/cm3。3﹒如申请专利范围第1或第2项所述热磁性记录方法,上述第1磁性薄膜系由具有垂直磁性异方性之第1及第2构成膜所形成,该第2构成膜系用以连接上述第3磁性薄膜,且上述第2构成膜之居里温度Tc12上被上述第1构成膜之居里温度Tc11为高,而上述第1加热状态之温度T1系位于上述第1构成膜之居里温度Tc11之附近,而不会使第2磁性薄膜之磁化产生反转,并使上述第2构成膜之磁化能随着上述第2磁性薄膜的磁化而变化,此外上述第2加热状态之温度T2则鞍上述第2构成膜之居里温度Tc12为高,且可使上述第2磁性薄膜之磁化反转充分发生者。4﹒如申请专利范围第3项所述之热磁性记录方法,在上述第1磁性薄膜之第1构成膜上乃设有克尔回转角较第1构成膜为大,且满足2MSRhRHCR+2Ms11h11Hc11<OWa+2Ms12h12H12条件之光磁性再生层(在此MSR,MS11,MS12分别为光磁性再生层、第1构成膜、第2构成膜之饱和磁化,hR,h11,h12分别是光磁性再生层、第1构成膜、第五构成膜之饱和磁化,hR,h12,h12分别是光磁性再生层、第1构成膜、第2构成膜之膜厚、HCR,HC11,HC12分别是其抗磁力,mva系界面磁壁能量)。5﹒如申请专利范围第1项或第2项所述之热磁性记录方法,在上述第2磁性薄膜系由彼此互换结合之第1.第2构成膜所构成,然而必须满足HC21R>HC22R,TC21<TC22(但是HC21RHC22R系在室温下之上述第1.第2构成膜之抗磁力,TC21,TC22系上述第1.第2构成膜居里温度)。图示简单说明第1图系表申请人先前提出之热磁气记录方式中之热磁性记录媒体之磁化状态的模式图。第2,7,8,21,22,28,34图系分别系使用于本发明之热磁气记录媒体之断面图。第3,24,26图系表本发明之热磁气记录方法之热磁气记录媒体之个化状态的模式图。第4,5,10图系表本发明之热磁气记录媒体之相对于第3磁性薄膜之依存性的特性图。第6,11,13图系表本发明之热磁气记录媒体之磁壁能量W相对于第3磁性薄膜厚之依存性之特性图。第12图系表第3磁性薄膜之磁性一温度特性图。第14图系表饱和磁化之温度依存性之特性图。第15图系表有效垂直异方性常数(effective per-pendiculosanisotropy constant)之温度依存性之特性图。第16图系表第3磁性薄膜之克尔曲线(kerr loop)温度变化特性图。第18,23,25图系磁壁能量与保持力能量之温度特性图。第19图系参考例之热磁气记录媒体之模式图。第20图系表其磁化状态之说明图。第27图系表覆写时之C/N之外部磁场(Hex)依存性之特性图。第29图系表本发明之第2磁性薄膜之各构成膜之保磁力的温度特性图。第30,31图系者C/N之外部磁场(hex)依存性之特性图。第32图系表记录磁区型式之模式图。第33图系表参考例所使用之第2磁性薄膜之各构成膜之保持力的温度特性图。 |