| 发明名称 | 电子电路 | ||
| 摘要 | 一种在绝缘基片上形成的电子电路。它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500，例如在100—750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。 | ||
| 申请公布号 | CN1090946A | 申请公布日期 | 1994.08.17 |
| 申请号 | CN93121131.X | 申请日期 | 1993.12.09 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 宫崎稔;崔葆春;A·村上;山本睦夫 |
| 分类号 | H01L21/70;H01L21/02;H01L21/28;H01L21/90 | 主分类号 | H01L21/70 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖掬昌;张志醒 |
| 主权项 | 1、一种电子电路包括：一厚度小于1500<img file="93121131X_IMG4.GIF" wi="33" he="53" />且由硅构成的半导体膜；与所说的半导体膜接触且由钛和氮构成的第一层；和与所说的第一层接触且由铝构成的第二层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||