P型氮化镓的制作方法

摘要

一种Ｐ型氮化镓的制作方法，其首先是在将镁掺杂的氮化镓热退火，以使其变成Ｐ型氮化镓，由于其必须长时间处于高温的环境中，以将全部的镁-氢(Mg-H)中的氢原子完全分解，使镁受子活性化，以得到高传电性的Ｐ型氮化镓。同时又要防止氮化镓材料会因高温分解产生ＶN的缺陷，所以本发明于热退火时，在氮化镓周围加上大量的氮束通量以阻止氮化镓材料的分解，此种氮束通量可以由射频(rf)电浆、电子回旋加速器共振(Electron Cyclotron Resonance)电浆或离子束(Ion Beam)等方法产生。另外，由于当氮化镓的P-N界面上有顺向电流时，只要加温到大约175℃，则镁掺杂的氮化镓中的氢化镁就可以分解开来。所以本发明就利用当氮化镓被形成为二极体的架构时，使其在低温下，即可将氢原子排除于氮化镓外，而使得镁受子活性化，藉以增加Ｐ型氮化镓的导电性，同时可以避免太高的温度造成在氮化镓中产生ＶN空隙的缺陷。

主权项

1.一种制作P型氮化镓的方法,包括下列步骤:(i)在氮化镓中掺杂镁,对镁掺杂的氮化镓进行热退火,同时并在氮化镓周围加上大量的氮束通量;(ii)若镁掺杂的氮化镓是长在N型氮化镓上,则在经过步骤(i)的高温处理后,再于P型氮化镓与N型氮化镓的P-N界面间加上一顺向电压,然后进行低温处理。2.如申请专利范围第1项的方法,其中,加在P型氮化镓与N型氮化镓的P-N界面间所加的顺向电流约在10毫安培左右。3.如申请专利范围第1项的方法,其中,前述低温处理的温度约为200℃。4.如申请专利范围第1项的方法,其中,前述步骤(i)进行热退火时,温度系控制在700℃至900℃之间,时间约20分钟至1小时。