| 主权项 |
1.一种真空装置,适用于一蚀刻机台,包括:一传输模组,用以进行一晶片的传输;一第一真空卡式升降机,用以承载该晶片,并透过一第一开关阀连接该传输模组;一压力控制器,接收氮气,用以控制通入该传输模组之氮气量,使该传输模组的压力维持固定;一压力开关,配置于该传输模组与该压力控制器间,用以侦测该传输模组的压力;一乾式泵,用以对该传输模组与该第一真空卡式升降机进行一抽气动作;一第一抽气隔绝阀,配置于该乾式泵与该第一真空卡式升降机间;一第二抽气隔绝阀,配置于该乾式泵与该传输模组间;一第一进气隔绝阀,配置于该压力控制器与该第一真空卡式升降机间;一第二进气隔绝阀,配置于该压力控制器与该传输模组间;以及一第三进气隔绝阀,连接该压力控制器,用以依据该压力控制器之一关闭信号,决定其为开启/关闭状态。2.如申请专利范围第1项所述之真空装置,其中该真空装置更包括:一第二真空卡式升降机,用以透过一第二开关阀连接该传输模组;一第三抽气隔绝阀,配置于该乾式泵与该第二真空卡式升降机间;以及一第四进气隔绝阀,配置于该压力控制器与该第二真空卡式升降机间。3.如申请专利范围第1项所述之真空装置,其中该蚀刻机台系一LAM Alliance 4700蚀刻机台。4.如申请专利范围第1项所述之真空装置,其中该蚀刻机台系一LAM Alliance 9400蚀刻机台。5.如申请专利范围第1项所述之真空装置,其中该传输模组包括至少一机械手臂,用以透过该机械手臂来进行该晶片的传输。6.如申请专利范围第1项所述之真空装置,其中该第三进气隔绝阀包括一粗/细抽气动开关。7.如申请专利范围第1项所述之真空装置,其中该第三进气隔绝阀系为常开状态。8.一种真空装置,适用于一蚀刻机台,包括:一传输模组,用以进行一晶片的传输;一第一真空卡式升降机,用以承载该晶片,并透过一第一开关阀连接该传输模组;一第二真空卡式升降机,用以透过一第二开关阀连接该传输模组;一压力控制器,接收氮气,用以控制通入该传输模组之氮气量,使该传输模组的压力维持固定;一压力开关,配置于该传输模组与该压力控制器间,用以侦测该传输模组的压力;一乾式泵,用以对该传输模组与该第一真空卡式升降机进行一抽气动作;一第一抽气隔绝阀,配置于该乾式泵与该第一真空卡式升降机间;一第二抽气隔绝阀,配置于该乾式泵与该传输模组间;一第三抽气隔绝阀,配置于该乾式泵与该第二真空卡式升降机间;一第一进气隔绝阀,配置于该压力控制器与该第一真空卡式升降机间;一第二进气隔绝阀,配置于该压力控制器与该传输模组间;一第三进气隔绝阀,配置于该压力控制器与该第二真空卡式升降机间;以及一第四进气隔绝阀,连接该压力控制器,用以依据该压力控制器之一关闭信号,决定其为开启/关闭状态。9.如申请专利范围第8项所述之真空装置,其中该蚀刻机台系一LAM Alliance 4700蚀刻机台。10.如申请专利范围第8项所述之真空装置,其中该蚀刻机台系一LAM Alliance 9400蚀刻机台。11.如申请专利范围第8项所述之真空装置,其中该传输模组包括至少一机械手臂,用以透过该机械手臂来进行该晶片的传输。12.如申请专利范围第8项所述之真空装置,其中该第四进气隔绝阀包括一粗/细抽气动开关。13.如申请专利范围第8项所述之真空装置,其中该第四进气隔绝阀系为常开状态。图式简单说明:第一图绘示的是习知一种用以提供制程所需之真空装置的配置图;以及第二图绘示的是依照本创作一较佳实施例的一种用以提供制程所需之真空装置的配置图。 |
