| 发明名称 | 使用氯等离子体的半导体衬底的改进的氧化工艺 | ||
| 摘要 | 一种半导体衬底的热氧化的工艺,工艺包括将衬底暴露到氯等离子体,然后在氧化环境中加热衬底。衬底包括硅、锗或它们的组合。加热步骤还包括在约750℃和约850℃之间的温度加热。 | ||
| 申请公布号 | CN1248060A | 申请公布日期 | 2000.03.22 |
| 申请号 | CN99117960.9 | 申请日期 | 1999.08.19 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | P·A·罗舍姆 |
| 分类号 | H01L21/316 | 主分类号 | H01L21/316 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 邹光新;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种半导体衬底的热氧化工艺，该工艺包括以下步骤：a)将衬底暴露到氯等离子体，然后b)在氧化环境中加热衬底。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||