| 主权项 |
1.一种具有闸极氧化层侧壁保护之T型闸极场效电晶体的制作方法,包括以下步骤:提供一半导体基材,上述基材上定义有电晶体元件,其中上述电晶体元件包括一复晶矽闸极、一闸极氧化层、和源/汲极区延伸;沈积一第一介电层于上述源/汲极区延伸、上述闸极及其侧壁、以及上述闸极氧化层侧壁之上;沈积一第二介电层于上述第一介电层之上;非等向性蚀刻上述第二、第一介电层,以形成由上述第一和第二介电层所构成之边衬于上述闸极之两侧;进行离子布植,以形成深源/汲极区;沈积一第三介电层,以将上述闸极和其边衬完全覆盖;平坦化上述第三介电层,但勿使上述闸极露出;分别选择性蚀刻上述第三、第二、第一介电层,使得上述闸极之上端部份露出于上述第二介电层之上;形成一堆叠导电层于上述闸极和第二、第三介电层上,藉以和上述闸极构成一T型闸极结构;去除上述第二、第三介电层,而留下上述第一介电层于上述T型闸极下端之侧壁上、以及上述闸极氧化层之侧壁上、以及靠近上述闸极的源/汲极区延伸上。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,上述第一介电层系为氮化矽层,其厚度介于20埃至100埃之间。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中,上述氮化矽层系使用低压气相沈积法所形成。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述第二介电层可由,硼磷矽玻璃、磷矽玻璃、硼矽玻璃、TEOS中之一者选择。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述第三介电层可由,硼磷矽玻璃、磷矽玻璃、硼矽玻璃、TEOS中之一者选择。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述第二和第三介电层系为包含有氧化矽成分之相同介电质。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中系使用含氢氟酸之蚀刻剂或是BOE对上述第二介电层进行选择性蚀刻。8.如申请专利范围第2项所述之方法,其中,对第一介电层的氮化矽层之蚀刻系使用HPO|^3。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中上述堆叠导电层之形成方法,为先行沈积一导电层于上述闸极和上述介电层之上,再非等向性蚀刻上述导电层。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中上述堆叠导电层之形成,系针对上述闸极使用选择性沈积法,以形成上述堆叠导电层于上述闸极和介电层上。11.如申请专利范围第9项或第10项所述之制造方法,其中上述导电层之材质系选自复晶矽、矽化金属、掺杂复晶矽、钨、钴、及钛金属之一者。12.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中上述导电层系选自复晶矽,于蚀刻后以自行校准矽化金属程序,使之转换为矽化金属。13.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中上述导电层之蚀刻系使用以卤素气体、卤素化合物、盐酸、含溴化合物之一者、或其混合物来进行非等向性乾式蚀刻。14.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,在上述选择性蚀刻上述第二、第一介电层之后,所露出之上述闸极之上端部份的长度以少于上述闸极之高度之二分之一为佳。15.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,在形成T型闸极结构、再将上述第二介电层去除之后,更形成一绝缘层于上述半导体基材之上,其中于上述T型闸极结构之堆叠导电层下方和上述第一掺杂区之间有空气间隙存在,以形成具有空气间隙之T型闸极场效电晶体。16.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,在去除上述第二、第三介电层而露出整个T型闸极之后,形成氧化层于上述半导体基材之上,而将上述T型闸极覆盖,其中于上述T型闸极结构之堆叠导电层下方和上述源/汲极区延伸之间有空气边隙存在。 |
