| 主权项 |
1.一种半导体装置制造系统,其包括:一个负载置放室,其被连接到一低真空帮浦并且形成一种低真空状态;一个处理室,其被连接到一高真空帮浦并且形成一种高真空状态;一个闸阀,其被放置在介于该负载置放室与该处理室之间;以及压力缓和机制,在该闸阀的开启之时,用以减少介于该负载置放室的低真空状态与该处理室的高真空状态之间的压差。2.如申请专利范围第1项的半导体装置制造系统,其中该压力缓和机制系一条具有一个被连接到该负载置放室之高真空帮浦的高真空管线而使得形成一种高真空状态于该负载置放室之内。3.如申请专利范围第2项的半导体装置制造系统,其中该压力缓和机制的该高真空帮浦使用一个被连接该处理室的高真空帮浦。4.如申请专利范围第2项的半导体装置制造系统,其中一个开启/关闭机制更被安装于被连接到该负载置放室的该高真空管线之上。5.如申请专利范围第4项的半导体装置制造系统,其中一个过滤器更被安装在介于该负载置放室与该开启/关闭机制之间。6.如申请专利范围第5项的半导体装置制造系统,其中一个手动阀更被安装在介于该负载置放室与该过滤器之间。7.一种半导体装置制造系统,其包括:一个负载置放室,其被连接到一低真空帮浦并且形成一种低真空状态;一个处理室,其被连接到一高真空帮浦并且形成一种高真空状态;一个闸阀,其被放置在介于该负载置放室与该处理室之间并且藉经由一空气供应管线所供应之空气而被打开/关闭;以及一条高真空管线,其具有一个被连接到该空气供应管线的空气阀,该空气供应管线的中间被连接到该闸阀,并且该高真空管线连接该负载置放室和该高真空帮浦。8.如申请专利范围第7项的半导体装置制造系统,其中一个延迟机制更被安装于被连接到该闸阀的该空气供应管线之上用以延迟该闸阀的开启/关闭动作。9.如申请专利范围第8项的半导体装置制造系统,其中该空气供应管线包括一条开启管线和一条关闭管线,并且该延迟机制被安装在该开启管线之上介于该闸阀与从该开启管线到在该负载置放室高真空管线上的空气阀的分叉点之间。10.如申请专利范围第7项的半导体装置制造系统,其中被连接到该负载置放室之该高真空帮浦系一个被连接到该处理室的高真空帮浦。11.如申请专利范围第7项的半导体装置制造系统,其中一个过滤器更被安装在介于该负载置放室与空气阀之间。12.如申请专利范围第8项或第9项的半导体装置制造系统,其中该延迟机制系一个针阀。13.一种半导体装置制造系统的驱动方法,该系统包括:一个被连接到一低真空帮浦并且形成一种低真空状态的负载置放室;一个被连接到一高真空帮浦并且形成一种高真空状态的处理室;一个被放置在介于该负载置放室与该处理室之间并且藉经由一条空气供应管线所供应之空气而被打开/关闭的闸阀;以及一条具有一个被连接到该空气供应管线的空气阀并且连接该负载置放室和该高真空帮浦的高真空管线,而该空气供应管线的中间被运接到该闸阀,该方法包括步骤:载入即将被处理之物体进入该负载置放室之中并且藉由驱动被连接到该负载置放室的低真空帮浦来维持该负载置放室具有一固定的低真空状态;藉由驱动被连接到该处理室之该高真空帮浦来维持该处理室具有一固定的高真空状态;藉由打开被连接到该负载置放室之该高真空管线的空气阀来维持该负载置放室具有一固定的高真空状态;以及在打开该闸阀之后,移动被放进该负载置放室之中的物体到该处理室之中。14.如申请专利范围第13项之半导体装置制造系统的驱动方法,其中被连接到该负载置放室之该高真空帮浦系被连接到该处理室的高真空帮浦,该空气供应管线到该闸阀包括一条开启管线和一条关闭管线,一个延迟机制更被安装来延迟在该开启管线之上的该闸阀之操作,并且该闸阀之开启随着该空气阀的开启而被该延迟机制所延迟。图式简单说明:第一图系一个显示传统之半导体装置制造系统的示意图;以及第二图系一个显示依据本发明之半导体装置制造系统的一个实施例之示意图。 |
