| 主权项 |
申请专利范围:1.一种避免浅沟槽隔离区(STI)角落产生凹陷(recess)之制程,包括下列步骤:在一矽基底上依序形成一垫氧化层、一复晶矽层、和一氮化矽层;选择性地蚀刻该氮化矽层、该复晶矽层、和该垫氧化层,用以露出该矽基底表面将形成隔离区的部分;利用上述定义图案的氮化矽层当作罩幕,蚀刻该半导体基底以形成一浅沟槽;施行一热氧化反应程序,藉此在该浅沟槽露出的表面上形成一氧化矽底层,并在该复晶矽层的侧壁上形成一氧化矽间隙壁(spacer);沈积一厚氧化矽层填入该浅沟槽中,以与该氧化矽底层和该氧化矽间隙壁连成一体,并覆盖在该氮化矽层的表面上,其中该氧化矽间隙壁使得相邻接之该厚氧化层的范围超出该浅沟槽者;施行一化学性机械研磨(CMP)程序,以去除该厚氧化矽层高出该氮化矽层上表面的部分,而留下其填在该浅沟槽中的部分;依序去除该氮化矽层和该复晶矽层;以及施行一湿式蚀刻程序去除该垫氧化层,而留下该厚氧化层形成一浅沟槽隔离构造,藉此定义出该矽基底的主动区,其中该氧化矽间隙壁会优先被蚀刻而避免该浅沟槽隔离构造的角落产生凹陷。2.如申请专利范围第1项所述一种避免浅沟槽隔离区角落产生凹陷之制程,更包括下列步骤:形成一闸极氧化层于该主动区表面上;以及形成一闸极导电层于该闸极氧化层表面上。3.如申请专利范围第1项所述一种避免浅沟槽隔离区角落产生凹陷之制程,其中系以一热氧化程序或一沈积程序形成该垫氧化层。4.如申请专利范围第1项所述一种避免浅沟槽隔离区角落产生凹陷之制程,其中系以一沈积程序形成该复晶矽层和该氮氧化层。5.如申请专利范围第1项所述一种避免浅沟槽隔离区角落产生凹陷之制程,其中系先以一光学微影程序形成一光阻图案,然后利用该光阻图案当作罩幕以蚀刻该氮化矽层、该复晶矽层、和该垫氧化层,用以露出该矽基底表面将形成隔离区的部分。6.如申请专利范围第1项所述一种避免浅沟槽隔离区角落产生凹陷之制程,其中系以一非等向性蚀刻程序形成该浅沟槽。7.如申请专利范围第6项所述一种避免浅沟槽隔离区角落产生凹陷之制程,其中该非等向性蚀刻程序系一活性离子蚀刻程序。8.如申请专利范围第1项所述一种避免浅沟槽隔离区角落产生凹陷之制程,其中该氧化矽间隙壁的厚度大于该氧化矽底层者。9.如申请专利范围第1项所述一种避免浅沟槽隔离区角落产生凹陷之制程,其中系以一热磷酸溶液去除该氮化矽层。 |
