发明名称 | 化合物半导体元件电极结构 | ||
摘要 | 一种化合物半导体元件电极结构,此化合物半导体元件包含一基板,覆盖此基板上之电子层,覆盖在此电子层一部份表面之电洞层,覆盖在此电洞层上之透明导电层;位在透明导电层上的一正极及一位在电子层表面周缘之负极;此电极结构之特征为负极包含一个将正极围绕之围绕部份,使正极与负极间电流更加均匀。 | ||
申请公布号 | TW441849 | 申请公布日期 | 2001.06.16 |
申请号 | TW089207065 | 申请日期 | 2000.04.28 |
申请人 | 华上光电股份有限公司 | 发明人 | 宋盈彻;刘文明 |
分类号 | H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/28 |
代理机构 | 代理人 | 樊贞松 台北巿仁爱路四段三七六号十三楼之一;王云平 台北巿仁爱路四段三七六号十三楼之一 | |
主权项 | 1.一种化合物半导体元件电极结构,此化合物半导体元件包含基板,覆盖此基板上之电子层,覆盖在此电子层一部分表面之台地状电洞层,覆盖在此电洞层上之透明导电层;位在透明导电层上的一正极及一位在露出的电子层表面,亦即未被台地状电洞层覆盖的电子层表面上之负极;此电极结构之特征为负极包含一个将正极围绕之围绕部份,此围绕部份系位在露出的电子层表面周缘。2.如申请专利范围第1项之化合物半导体元件电极结构,其中正极包含一个自其旁边延伸呈之分支部份。图式简单说明:第一图为本创作电极结构之上视图。第二图为本创作电极结构的正视图。第三图为本创作电极结构之侧视图。第四图为本创作电极结构之立体图。第五图为本创作另一实施例之上视图。第六图为本创作电极结构加上CVD层之侧视图。 | ||
地址 | 桃园县大溪镇仁和路二段三四九号七楼 |