发明名称 化合物半导体元件电极结构
摘要 一种化合物半导体元件电极结构,此化合物半导体元件包含一基板,覆盖此基板上之电子层,覆盖在此电子层一部份表面之电洞层,覆盖在此电洞层上之透明导电层;位在透明导电层上的一正极及一位在电子层表面周缘之负极;此电极结构之特征为负极包含一个将正极围绕之围绕部份,使正极与负极间电流更加均匀。
申请公布号 TW441849 申请公布日期 2001.06.16
申请号 TW089207065 申请日期 2000.04.28
申请人 华上光电股份有限公司 发明人 宋盈彻;刘文明
分类号 H01L21/28 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人 樊贞松 台北巿仁爱路四段三七六号十三楼之一;王云平 台北巿仁爱路四段三七六号十三楼之一
主权项 1.一种化合物半导体元件电极结构,此化合物半导体元件包含基板,覆盖此基板上之电子层,覆盖在此电子层一部分表面之台地状电洞层,覆盖在此电洞层上之透明导电层;位在透明导电层上的一正极及一位在露出的电子层表面,亦即未被台地状电洞层覆盖的电子层表面上之负极;此电极结构之特征为负极包含一个将正极围绕之围绕部份,此围绕部份系位在露出的电子层表面周缘。2.如申请专利范围第1项之化合物半导体元件电极结构,其中正极包含一个自其旁边延伸呈之分支部份。图式简单说明:第一图为本创作电极结构之上视图。第二图为本创作电极结构的正视图。第三图为本创作电极结构之侧视图。第四图为本创作电极结构之立体图。第五图为本创作另一实施例之上视图。第六图为本创作电极结构加上CVD层之侧视图。
地址 桃园县大溪镇仁和路二段三四九号七楼
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