| 主权项 |
1.一种半导体结构,其包括:一取自矽、多矽、二氧化矽及矽锗所组成之基板群的基板;以及一位在该基板上的电极,该电极包括一层组合物Ir-M-O,其中M取自Ta、Ti、Nb、A1.Hf、Zr及V所组成的金属层;其中该半导体结构系建构且配置以禁得起在大于或等于600℃的温度下退火,而不会失去其传导性及完整性。2.如申请专利范围第1项之半导体结构,另外包括位于该基板与电极间的底端障壁层,包括取自Ti及TiN所组成之材料群的材料层。3.如申请专利范围第1项之半导体结构,另外包括在该基板与电极间所形成的第二障壁层,包括取自Ta、TaN、TaSiN、Nb、NbN、A1N、Zr、ZrN、Hf、HfN、A1-Ti及A1-Ti-N所组成之材料群的材料层。4.如申请专利范围第1项之半导体结构,另外包括在该基板与电极间所形成的第三障壁层,包括取自IrO2/Ir、IrO2/Pt、RuO2/Ir、RuO2/Pt及RuO2/Ru所组成之材料群的材料层,其中第三障壁层包括一形成于金属层上的金属氧化物层。5.如申请专利范围第1项之半导体结构,另外包括在该基板与电极间所形成的第三障壁层,包括取自IrO2/Ir、IrO2/Pt、RuO2/Ir、RuO2/Pt及RuO2/Ru所组成之材料群的材料层,其中第三障壁层包括一形成于金属氧化物层上的金属层。6.如申请专利范围第1项之半导体结构,另外包括在该基板与电极间所形成的第三障壁层,包括取自Ir、IrO2.Pt、Ru及RuO2所组成之材料群的材料层。7.如申请专利范围第1项之半导体结构,另外包括在该电极上面所形成的顶端障壁层,包括取自IrO2/Ir、IrO2/Pt、RuO2/Ir、RuO2/Pt及RuO2/Ru所组成之材料群的材料层,其中该顶端障壁层包括一形成于金属层上的金属氧化物层。8.如申请专利范围第1项之半导体结构,另外包括在该电极上面所形成的顶端障壁层,包括取自IrO2/Ir、IrO2/Pt、RuO2/Ir、RuO2/Pt及RuO2/Ru所组成之材料群的材料层,其中该顶端障壁层包括一形成于金属氧化物层上的金属层。9.如申请专利范围第1项之半导体结构,另外包括在该电极上面所形成的顶端障壁层,包括取自Ir、IrO2.Pt、Ru及RuO2所组成之材料群的材料层。10.如申请专利范围第1项之半导体结构,另外包括一位于该电极与基板间的氧化物层。11.如申请专利范围第1项之半导体结构,另外包括一位于该电极与基板间的传导层。12.一种形成半导体结构的方法,该方法包括:准备一取自矽、多矽、二氧化矽及矽锗所组成之基板群的基板;连续沉积包括沉积组合物Ir-M-O之电极层的材料层,其中M取自Ta、Ti、Nb、Hf、Zr及V所组成的金属群;以及以大于或等于600℃的温度来退火该半导体结构。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该沉积包括沉积一取自Ti及TiN所组成之材料群的第一障壁材料层。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该沉积另外包括沉积介于该基板与电极间的第二障壁层,包括取自Ta、TaN、TaSiN、Nb、NbN、AlN、Zr、ZrN、Hf、HfN、Al-Ti及A1-Ti-N所组成之材料群的材料层。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该沉积另外包括沉积第一障壁层及第二障壁层,结合的厚度范围大约介于10nm与200nm之间。16.如申请专利范围第12项之方法,其中该沉积另外包括在该电极下面的沉积第三障壁层,包括沉积取自IrO2/Ir、IrO2/Pt、RuO2/Ir、RuOa/Pt及RuO2/Ru所组成之材料群的材料层,其中第三障壁层有一取自金属层上形成金属氧化物层及金属氧化物层上形成金属层之配置群的配置。17.如申请专利范围第12项之方法,其中该沉积另外包括在该电极下面的沉积第三障壁层,包括沉积取自Ir、IrO2.Pt、Ru及RuO所组成之材料群的材料层。18.如申请专利范围第12项之方法,其中该沉积另外包括在该电极上面沉积的顶端障壁层,包括沉积取自IrO2/Ir、IrO2/Pt、RuO2/Ir、RuO2/Pt及RuO2/Ru所组成之材料群的材料层,其中该顶端障壁层有一取自金属层上形成金属氧化物层及金属氧化物层上形成金属层之配置群的配置。19.如申请专利范围第12项之方法,其中该沉积另外包括在该电极上面沉积的顶端障壁层,包括沉积取自Ir、IrO2.Pt、Ru及RuO所组成之材料群的材料层。20.如申请专利范围第12项之方法,其中该沉积包括沉积一电极层,并同时在该电极与基板间形成一氧化物层。21.如申请专利范围第12项之方法,其中该沉积包括在该基板上沉积一传导层。图式简单说明:图1描述本发明的结构。图2描述在充满氧气的环境中,以800℃的温度退火10分钟前与后的Ir-Ta-O/闸氧化物/Si结构图3描述闸氧化物与Ir-Ta-O的结构。图4a-b描述具有20闸氧化物的Ir-Ta-O/闸氧化物/Si结构的C-V。图5a-b描述具有20闸氧化物的Ir-Ta-O/闸氧化物/Si结构的I-V。图6a-b描述具有35闸氧化物的Ir-Ta-O/闸氧化物/Si结构的C-V。图7a-b描述具有35闸氧化物的Ir-Ta-O/闸氧化物/Si结构的I-V。 |
