| 主权项 |
1.一种含钌金属之去除剂,包含重量百分比为5至35之(a)四价铈硝酸盐;以及重量百分比为1至30之(b)选自于由硝酸、过氯酸以及醋酸所构成的族群中的至少一种酸。2.如申请专利范围第1项的含钌金属之去除剂,系用于去除黏附在一半导体基板上的一含钌金属。3.如申请专利范围第1项的含钌金属之去除剂,系用于冲洗一半导体基板,其中该半导体基板的装置形成区域之外区域上黏附着一含钌金属。4.如申请专利范围第2项的含钌金属之去除剂,其中该半导体基板为一矽基板。5.如申请专利范围第3项的含钌金属之去除剂,其中该半导体基板为一矽基板。6.一种含钌金属的去除方法,系以一去除剂去除黏附在一半导体基板之含钌金属,该去除剂包含:重量百分比为5至35之(a)四价铈硝酸盐;以及重量百分比为1至30之(b)选自于由硝酸、过氯酸以及醋酸所构成的族群中的至少一种酸。7.一种含钌金属的去除方法,系以一去除剂去除黏附在一半导体基板上装置形成区域以外区域之含钌金属,该去除剂包含:重量百分比为5至35之(a)四价铈硝酸盐;以及重量百分比为1至30之(b)选自于由硝酸、过氯酸以及醋酸所构成的族群中的至少一种酸。8.一种含钌金属之去除剂的使用方法,其中,在利用如申请专利范围第1项的该去除剂进行去除工作后,以一含有至少氢氟酸、硝酸、过氯酸与草酸其中之一的液体冲洗一基板,以便于移除残留的该去除剂。9.一种含钌金属之去除剂的使用方法,其中,在利用如申请专利范围第2项的该去除剂进行去除工作后,以一含有至少氢氟酸、硝酸、过氯酸与草酸其中之一的液体冲洗一基板,以便于移除残留的该去除剂。10.一种含钌金属之去除剂的使用方法,其中,在利用如申请专利范围第3项的该去除剂进行去除工作后,以一含有至少氢氟酸、硝酸、过氯酸与草酸其中之一的液体冲洗一基板,以便于移除残留的该去除剂。11.一种含钌金属之去除方法,包含下列步骤:沉积一钌金属膜于一半导体基板的一装置形成区域上;以及当实质水平的该半导体基板进行旋转时,将一去除剂喷洒在该半导体基板一给定区域上,该去除剂含有重量百分比为5至35之(a)四价铈硝酸盐及重量百分比为1至30之(b)选自于由硝酸、过氯酸以及醋酸所构成的族群中的至少一种酸,以便于去除黏附在装置形成区域以外之一区域的一含钌金属。图式简单说明:图1显示进行过钌金属膜沉积的矽基板之装置图。图2显示进行过钌金属膜沉积的另一矽基板之装置图。 |
