发明名称 半导体元件阵列结构与画素阵列结构
摘要 一种画素阵列结构,适用于一液晶显示面板。此画素阵列结构主要系由多个电晶体、多个画素电极、多条资料配线与多条扫瞄配线所构成。每条扫瞄配线包括一第一子扫瞄配线、多个接触部与一第二子扫瞄配线。第一子扫瞄配线与对应之资料配线交错但电性不连接。接触部分布于第一子扫瞄配线上至少二互相分离之区域,并与第一子扫瞄配线电性连接。第二子扫瞄配线系经由接触部而电性连接至第一子扫瞄配线。
申请公布号 TWI231466 申请公布日期 2005.04.21
申请号 TW093101815 申请日期 2004.01.28
申请人 奇景光电股份有限公司 发明人 何永源;陈燕晟
分类号 G09G3/36 主分类号 G09G3/36
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种画素阵列结构,适用于一液晶显示面板,该画素阵列结构至少包括多数条资料配线、多数条与该些资料配线交错配置之扫瞄配线、多数个藉由该些资料配线与该些扫瞄配线驱动之电晶体,以及多数个由该些电晶体控制之画素电极,其特征在于每一该些扫瞄配线包括:一第一子扫瞄配线,与对应之该些资料配线交错但不互相电性连接;多数个接触部,分布于该第一子扫瞄配线上至少二互相分离之区域,并与该第一子扫瞄配线电性连接;以及一第二子扫瞄配线,经由该些接触部而与该第一子扫瞄配线电性连接。2.如申请专利范围第1项所述之画素阵列结构,其中该些接触部分别位于对应之该些电晶体的通道周围一处上方。3.如申请专利范围第1项所述之画素阵列结构,其中该些接触部分别位于对应之该些电晶体的通道两侧。4.如申请专利范围第1项所述之画素阵列结构,其中该第一子扫瞄配线与对应之该些电晶体的闸极系由同一导体层所构成。5.如申请专利范围第1项所述之画素阵列结构,其中该第二子扫瞄配线与该些资料配线系由同一导体层所构成。6.如申请专利范围第1项所述之画素阵列结构,其中该第二子扫瞄配线与该些资料配线系分别由不同导体层所构成。7.如申请专利范围第1项所述之画素阵列结构,其中该些电晶体包括金属氧化半导体电晶体与薄膜电晶体其中之一。8.一种半导体元件阵列结构,包括:多数条资料配线;多数条扫瞄配线,与该些资料配线交错配置,每一该些扫瞄配线包括:一第一子扫瞄配线,与对应之该些资料配线交错但不互相电性连接;多数个接触部,分布于该第一子扫瞄配线上至少二互相分离之区域,并与该第一子扫瞄配线电性连接;一第二子扫瞄配线,经由该些接触部而与该第一子扫瞄配线电性连接;以及多数个电晶体,藉由该些资料配线与该些扫瞄配线驱动。9.如申请专利范围第8项所述之半导体元件阵列结构,其中该些接触部分别位于对应之该些电晶体的通道周围一处上方。10.如申请专利范围第8项所述之半导体元件阵列结构,其中该些接触部分别位于对应之该些电晶体的通道两侧。11.如申请专利范围第8项所述之半导体元件阵列结构,其中该第一子扫瞄配线与对应之该些电晶体的闸极系由同一导体层所构成。12.如申请专利范围第8项所述之半导体元件阵列结构,其中该第二子扫瞄配线与该些资料配线系由同一导体层所构成。13.如申请专利范围第8项所述之半导体元件阵列结构,其中该第二子扫瞄配线与该些资料配线系分别由不同导体层所构成。14.如申请专利范围第8项所述之半导体元件阵列结构,其中该些电晶体包括金属氧化半导体电晶体与薄膜电晶体其中之一。图式简单说明:第1图绘示为习知液晶面板之画素阵列结构的局部电路图。第2A、2B、2C图绘示为本发明三种较佳实施例之画素阵列结构的局部电路图。第3图绘示为根据本发明一较佳实施例之画素阵列结构的布局示意图。
地址 台南县善化镇台南科学工业园区南科八路12号1楼
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