| 摘要 |
웨이퍼 레벨 패키지의 제조 방법이 제공된다. 이 제조 방법은, 웨이퍼로부터 낱개로 분리된 다수의 반도체 칩을 인캡슐레이션 하는 제1 리패시베이션층(repassivation layer)을 형성하는 단계; 상기 제1 리패시베이션층의 내부를 관통하는 관통 인캡슐레이션 전극(Through Encapsulation Via: TEV)으로서, 상기 반도체 칩의 측면을 인캡슐레이션 하는 상기 리패시베이션층의 내부를 관통하는 제1 TEV와, 상기 반도체 칩의 제1 면에 반대면인 제2 면에 형성된 입출력 패드를 인캡슐레이션 하는 상기 제1 리패시베이션층의 내부를 관통하여 상기 입출력 패드에 전기적으로 연결되는 제2 TEV을 포함하는 상기 TEV를 형성하는 단계; 상기 제1 리패시베이션층 상에 형성되고, 상기 TEV의 일단부와 전기적으로 연결되는 재배선층을 형성하는 단계; 및 (D) 상기 재배선층 상에 형성되고, 상기 재배선층과 전기적으로 연결되는 도전성 범프를 형성하여, 웨이퍼 레벨 패키지를 완성하는 단계를 포함한다. |
