发明名称 METHOD OF MANUFACTURING JUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPS51135375(A) 申请公布日期 1976.11.24
申请号 JP19750060380 申请日期 1975.05.19
申请人 MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD 发明人 OGAWA HISATO;KAJIWARA KOUSEI
分类号 H01L29/80;H01L21/265 主分类号 H01L29/80
代理机构 代理人
主权项
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