| 摘要 |
다중금속막 식각 방법이 개시되며, 상기 다중금속막 식각 방법은, 구리(Cu) 및 구리 합금 중 하나 이상을 포함하는 재질로 이루어지는 제1층 및 티타늄(Ti) 및 티타늄 합금 중 하나 이상을 포함하는 재질로 이루어지는 제2층을 포함하는 다중금속막을 식각하는 방법에 있어서, 상기 다중금속막 상에 소정의 패턴을 갖는 포토레지스트막을 형성하는 단계; 식각액을 사용하여 상기 다중금속막을 식각하는 단계; 및 상기 포토레지스트막을 제거하는 단계를 포함하되, 상기 다중금속막을 식각하는 단계에서, 상기 식각액은 그의 총 중량에 대해 포스폰산(phosphonic acid) 계열의 화합물을 0.1 내지 10.0 중량% 포함한다. |
