| 摘要 |
[과제] 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막이 교대로 적층된 제1 영역, 및 제1 영역의 실리콘 산화막의 막두께보다 큰 막두께를 갖는 실리콘 산화막을 갖는 제2 영역을 동시에 에칭하는 방법을 제공한다. [해결수단] 일실시형태의 방법에서는, 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에서 플루오로카본 가스, 하이드로플루오로카본 가스 및 산소 가스를 포함하는 제1 처리 가스의 플라즈마가 생성된다. 이어서, 처리 용기 내에서, 플루오로카본 가스, 하이드로플루오로카본 가스, 산소 가스 및 할로겐 함유 가스를 포함하는 제2 처리 가스의 플라즈마가 생성된다. 이어서, 처리 용기 내에서, 산소 가스를 포함하는 제3 처리 가스의 플라즈마가 생성된다. |
