具有深薄氧化物层之SOI结构

摘要

具有深薄氧化物层之SOI结构的制法，包括以下之接续步骤：－以1015-1016离子／平方公分范围的氧气流量，进行第一次离子移植；－在600-900℃温度范围，进行随后热处理；－以2-8×1017离子／平方公分范围的氧气流量，进行第二次离子移植；－在1150-1400℃温度范围，进行最后热处理。

主权项

1﹒一种具有深薄氧化物层之SOI结沟的制法包括以下之接续步骤:以10^15─10^16离子/平方公分范围内的氧气流量,进行第一次离子移植,在600─900℃温度范闽,进行随后热处理;一以2─8x10^17离子/平方公分范围内的氧气流量,进行第二次离子移植一在11╮@揣砭w1400℃温度范围,进行最后钓处理者。2﹒一种由前述申请专利范围所请求制法制得之结构,包括厚度在100nm和400nm间之单一晶体矽表面层,和厚度在80nm和150nm间之埋设二氧化矽层者。