低活性表面强放射源制靶工艺

摘要

本发明是一种低活性表面强放射源的制靶工艺，经切割、抛光、清洗后，使用蒸发沉积法在铱粒表面镀上TiN+TiC+TiN复合膜，并使膜与基体材料合金化。此新工艺制做的铱源芯表面上镀的复合膜与基体材料结合紧密，抗辐射，耐高温，低活性。照射后，源芯表面放射性粉末脱落极少，符合医用标准。本发明生产的铱粒成本低，质量好，经济效益、社会效益显著。

主权项

1、一种低活性表面强放射源制靶工艺，包括铱丝的切割、球磨、清洗、镀膜工序，其特征在于将铱粒装入真空镀膜机的镀膜装置内，慢速转动，采用蒸发沉积法在铱粒表面镀TiN+TiC+TiN复合膜。