单层复矽晶薄膜电晶体静态记忆元

摘要

本发明系关于一种单层复矽晶薄膜电晶体静态记忆元，尤指一种可改进传统动态记忆单元(SRAM)之薄膜电晶体需以三层至四层复矽晶制程所造成之制程过于复杂之缺陷，主要即为一种仅需以单层复矽晶即可达成，提供一种制程简化及易于制造之静态记忆元构造，主要系在矽层之闸氧化层的下方以交错方式形成埋入式Ｐ型电晶体底部闸极及位在该埋入式底部闸极两侧以Ｎ型电晶体之埋入Ｎ＋源／泄极，而闸氧化层上方则对应于前述埋入式底部闸极及埋入Ｎ＋源／泄极以单层复矽晶层以区段分割形成相应之Ｐ＋源／泄极及Ｎ＋闸极，使Ｐ、Ｎ型电晶体以埋入构造及单层复矽晶构造同时完成，使制程简化及制造更形简便者。

主权项

1.一种单层复矽晶薄膜电晶体静态记忆元,其制法包括:一形成场区氧化层之步骤;一埋入闸极光罩制程以形成埋入闸极之步骤;一闸氧化层形成之步骤;一覆盖接触区光罩及蚀刻形成接触区窗口之步骤;一复矽晶沈积之步骤;一通道区离子植入步骤;一P+源/泄极光罩覆盖及进行P+源/泄极区离子植入之步骤;一N+复矽晶闸极离子植入之步骤;一复矽晶光罩及蚀刻之步骤;及一N+源/泄极光罩覆盖及进行N+源/泄极区离子植入之步骤;藉单层复矽晶层构造上植入N+闸极区、P通道区及P+源/泄极区以及在单层复矽晶层植入N+源/泄极区及埋入式闸极区,以混合N型电晶体、P型薄膜电晶体以形成静态记忆体者。2.一种单层复矽晶薄膜电晶体静态记忆元,结构包括:一位在闸氧化层上方以复矽晶形成连续以P+源/泄极、通道区构成之构造;一对应于通道区下方之矽层内形成埋入闸极之构造,以上述两结构组成P型薄膜电晶体;一在复矽晶层局部区域进行N+离子植入以形成N+源/泄极区构造;一对应于复矽晶N+源/泄极区两侧下方矽层内形成N+源/泄极区构造,以上述两结构组成N型电晶体;形成一种混合有P型薄膜电晶体及N型电晶体之静态记忆单元者。第一图:系本发明之俯视图。第二图:系本发明之制程