| 主权项 |
1. 一种用以制备经处理过之基片以于所述基片之一主要表面上产生液晶斜向平行对齐之方法,包含以下步骤:(a) 将所述基片移动通过一矽石源;(b) 在所述基片于沉积期间移动通过所述矽石源时,由所述矽石源沉积一层矽石于所述基片上;(c) 用一由2-苯乙醇、苯甲醇、1-苯基-2-丙醇、2-苯基-1-丙醇、3-苯基-1-丙醇、4-苯基-1-丁醇、5-苯基-1-戊醇、及6-苯基-1-己醇所组成集团中选出之醇处理该经矽石涂覆之基片;以及(d) 用一层所述液晶覆盖所述已处理之基片,其中所述矽石源包括一溅射标靶而所述矽石系藉溅射予以沉积,而且其中处理步骤系用温度为120℃至160℃之所述基片予以完成。2. 如申请专利范围第1项之方法,其中所述醇系由2-苯乙醇及4-苯基-1-丁醇所组成之集团中选出。3. 如申请专利范围第1项之方法,其中所述溅射标靶包含一磁子溅射标靶而所述矽石系藉线内磁子溅射予以沉积。4. 一种用以制备经处理过之基片以于所述基片上产生液晶斜向平行对齐之方法,包含以下步骤:(a) 将所述基片移动通过一包含矽石之溅射标靶;(b) 在所述基片于沉积期间移动通过所述矽石时,藉线内磁子溅射由所述矽石源沉积一层矽石于所述基片上;(c) 用2-苯乙醇或4-苯基-1-丁醇处理该经矽石涂覆之基片;以及(d) 用一层液晶覆盖所述已处理之基片。5. 如申请专利范围第1或4项之方法,其中所述基片包含玻璃或石英。6. 如申请专利范围第1或4项之方法,其中所述基片包含一液晶光阀基片。7. 如申请专利范围第1或4项之方法,其中所述基片在移动步骤之前配置以一导电涂面。8. 如申请专利范围第1或4项之方法,其中沉积步骤系在所述基片之至少一次通过所述源中完成。9. 如申请专利范围第4项之方法,其中处理步骤系用温度为120℃至160℃之所述基片予以完成。10. 如申请专利范围第4项之方法,其中所述矽石层之厚度在12至3000埃之范围内。图示简单说明:图1为一经处理之基片20之侧视示意图,在其上表面24有一层液晶22,且电场处于场关闭状态,而在该态位之液晶方向轴以26指示;图2为图1基片之示意平面视图,电场处于场关闭状态;图3为图1基片之示意侧面立视图,电场处于场开启状态,因此产生如所示液晶方向轴26之方位;而图4为一经处理基片之侧面立视图,由一透明支承38.一导电层40.一矽石层44构成,系依本发明敷加并处理以产 |
