| 主权项 |
1.一种半导体装置,系具备有:该相隔着一间隔而形成在半导体区域之主表面上,而用以夹住通道区域之呈1对之第1和第2源极/汲极区域;及,该形成在前述通道区域上之闸极电极;及,由形成在前述闸极电极上之绝缘膜所组成之第1蚀刻阻件层;及,该形成在前述之第1蚀刻组件层上之第1层间绝缘膜;及,形成在该位处于前述之第1层间绝缘膜和前述之第1蚀刻阻件层之前述之第1源极/汲极区域上之区域的位元线用开口;及,形成在该位处于前述之第1层间绝缘膜和前述之第1蚀刻阻件层之前述之第2源极/汲极区域上之区域的第1电容器用开口;及,藉由前述之位元线用开口,而连接至前述之第1源极/汲极区域的位元线;及,藉由前述之第1电容器用开口,而连接至前述之第2源极/汲极区域,同时,可以填充住前述之第1电容器用开口,而且其上面之平面面积比起底面之平面面积还来得更大之所形成之插销电极;及,呈电气地连接至前述之插销电极之上面,并且藉由第1绝缘膜,而覆盖住前述之位元线之上面和侧面之所形成之电容器下部电极。2.一种半导体装置,系具备有:该相隔着一间隔而形成在半导体区域之主表面上,而用以夹住通道区域之呈1对之第1和第2源极/汲极区域;及,该形成在前述之通道区域上之闸极电极;及,由形成在前述之闸极电极上之绝缘膜所组成之第1蚀刻阻件层;及,该形成在前述之第1蚀刻阻件层上之第1层间绝缘膜;及,形成在该位处于前述之第1层间绝缘膜和前述之第1蚀刻组件层之前述之第1源极/汲极区域上之区域的位元线用开口;及,形成在该位处于前述之第1层间绝缘膜和前述之第1蚀刻组件层之前述之第2源极/汲极区域上 |
