多个单片晶片气塞晶片处理装置及其装卸方法

摘要

多个非真空多片运载器25中的晶片在一晶片处理机30的一大气前端32中装卸,经多个单片晶片气塞37传入一晶片制作组件机30的一传递模件33的高真空室31和从中传出。最好是,在这整个过程中呈水平的晶片经一气塞37a传到高真空环境,经另一气塞37b传出,该输出气塞还用来冷却晶片。在大气和高真空环境中,传递臂35、42在其他气塞密封时在这两个气塞中尽可能多次传入传出晶片,而在所有气塞密封时在这两个环境中传递晶片。晶片最好在输出气塞37b中冷却。晶片在从一运载器25中取出后、在置于一气塞前最好通过一晶片校准器41。当在一运载器与气塞之间来回传递晶片时,用一装有未处理晶片的运载器更换另一装有经处理晶片的运载器。

主权项

1、一种在多片晶片运载器与一晶片处理组件机的传递室的高真空环境之间传递晶片的方法，该方法包括下列步骤：把第一多片晶片运载器置于与一自动传递装置周围洁净大气环境连通的位置上，该自动传递装置位于该晶片处理组件机的大气前端中；然后用自动传递装置把第一运载器中的第一独立晶片传递到第一单片晶片气塞中，该第一气塞用作输入气塞，其与大气环境相通并与传递室的高真空环境密封隔绝；然后密封第一气塞与大气环境隔绝；然后将第一气塞抽气到一真空压力；然后使第一气塞与高真空环境相通；然后用位于传递室中的一传递臂从第一气塞移出第一晶片，并在一真空处理室与高真空环境连通时把第一晶片置于该真空处理室中；然后用传递臂从与高真空环境连通的一真空处理室中取出第一晶片后把它置于用作一输出气塞的第一或第二单片晶片气塞，其与高真空环境相通并与大气环境密封隔绝；然后使输出气塞与高真空环境密封隔绝；然后把输出气塞放气成大气环境的压力水平；然后打开输出气塞与大气环境相通；然后把第一晶片从该输出气塞传递到该运载器。