| 主权项 |
/AIT{1.一种焊接晶圆的制造方法包括下列步骤:}/ait{第一晶圆与第二晶圆彼此叠置,配置黏合材料层与第一扩散阻障层于其中;}/ait{形成第二扩散阻障层以覆盖该黏合材料层之暴露侧边,以及}/ait{回火该叠置晶圆藉以增加焊垫强度。}/AIT{2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该黏合材料层系选自包括BPSG、PSG、以及BSG层之族群。}/AIT{3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该杂质扩散阻障层系选自包括SiN、SiON、聚合物、以及HTO层之族群。}/AIT{4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该黏合材料层包括PSG层,且该第二杂质扩散阻障层系HTO与聚合物层之一。}/AIT{5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该黏合材料层系BPSG与BSG层之一,且该第二杂质扩散阻障层系SiN与SiON层之一。}/AIT{6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一与第二扩散阻障层具有厚度约70埃至2000埃。}/AIT{7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中执行该回火在氮气环境中,且在温度约950℃共约30分钟。}/AIT{8.一种焊接晶圆的制造方法包括下列步骤:}/ait{第一晶圆与第二晶圆彼此叠置,配置黏合材料层与第一扩散阻障层于其中;}/ait{形成第二扩散阻障层以覆盖该黏合材料层之暴露侧边与该叠置晶圆的暴露表面;以及}/ait{回火该叠置晶圆藉以增加焊垫强度。}/tt第一图是绘示习知技艺中SOI结构的剖面图。第二图A至第二图D是绘示依据本发明之一种新的SOI结构的制造方法之制程步骤流程图。 |
