| 主权项 |
1.一种具有自行对准矽化金属逻辑位元与记忆位元之嵌入式动态随机存取记忆体的制造方法,至少包含:提供一基材,其中绝缘区域形成在其上,以定义一P通道金氧半区域、一N通道金氧半区域与一记忆位元区域,一第一闸极结构形成在该P通道金氧半区域之上,一第二闸极结构形成在该N通道金氧半区域之上,一第三闸极结构形成在该记忆位元区域之上;形成淡掺杂汲极区域在靠近该第一闸极结构、该第二闸极结构与该第三闸极结构的该基材之中;形成一氮化矽层在该基材、该第一闸极结构、该第二闸极结构与该第三闸极结构之上;蚀刻该氮化矽层,以形成该第二闸极结构的第二氮化矽侧壁;进行N型导电杂质离子布植制程,在该N通道金氧半区域上之N通道金氧半元件的N型源汲极区域,并掺杂N型导电离子至该第二闸极结构之中;蚀刻该氮化矽层,以形成该第一闸极结构的第一氮化矽侧壁;进行P型导电杂质离子布植制程,以形成在该P通道金氧半区域上之P通道金氧半元件的P型源汲极区域,并掺杂P型导电离子至该第一闸极结构之中;以及进行自行对准矽化金属制程,在该P型源汲极区域,该第一闸极结构、该N型源汲极区域与该第二闸极结构之上形成一自行对准矽化金属层,其中在该自行对准矽化金属制程之中,利用该氮化矽层保护该第三闸极结构。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该绝缘区域至少包含场氧化层区域。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该绝缘区域至少包含浅渠沟隔离区域。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第三闸极结构至少包含:一闸极氧化层,形成在该记忆位元区域;一N型掺杂复晶矽层形成在该闸极氧化层之上;一复晶矽化金属层形成在该N型掺杂复晶矽层之上;一覆盖层形成该复晶矽化金属层之上。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该覆盖层的组成材料系选自四乙基矽酸盐(TEOS)与氮化矽材料所组成的群组的其中之一,该复晶矽化金属层的组成材料系为WSix材料。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该自行对准矽化金属层的组成材料系选自系选自矽化钛材料与矽化钴材料。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该该第三闸极结构之上该氮化矽层,在形成该记忆位元区域的接触栓塞的自行对准制程之中,作为一硬罩幕层。8.一种具有自行对准矽化金属逻辑位元与记忆位元之嵌入式动态随机存取记忆体的制造方法,至少包含:提供一基材,其中绝缘区域形成在其上,以定义一逻辑位元区域与一记忆位元区域,一闸极结构形成在该记忆位元区域;形成该逻辑位元的淡掺杂汲极区域在该基材之中;形成一氮化矽层在该基材与该闸极结构之上;蚀刻该氮化矽层,露出该逻辑位元区域的该基材;进行一离子布植制程,以形成该逻辑位元区域的源汲极区域;以及进行一自行对准矽化金属制程,以形成一自行对准矽化金属层在该逻辑位元区域的该源汲极区域之上,其中在该自行对准矽化金属制程之中,该氮化矽层保护该闸极结构。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该绝缘区域至少包含场氧化层区域。10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该绝缘区域至少包含浅渠沟隔离区域。11.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该闸极结构至少包含:一闸氧化层形成在该记忆位元区域;一N型掺杂复晶矽层形成在该闸氧化层之上;一复晶矽化金属层形成在该N型掺杂复晶矽层之上;以及一覆盖层形成该复晶矽化金属层之上。12.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该覆盖层系选自四乙基矽酸盐(TEOS)材料与氮化矽材料所组成群组的其中之一,该复晶矽化金属层为WSix材料。13.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该自行对准矽化金属层系选自矽化钛材料与矽化钴材料所组成群组的其中之一。14.如申请专利范围第8项所述之方法,其中在该闸极结构上之该氮化矽层,在形成该记忆位元区域上之接触栓塞的自行对准制程中,系作为一硬罩幕层。图式简单说明:第一图系显示习知技术之基材的剖面示意图,一嵌入式动态随机存取记忆体形成在基材之上,具有逻辑位元与记忆体位元,此逻辑位元包括N通道金氧半元件与P通道金氧半元件;第二图系显示本发明之基材的剖面示意图,逻辑位元与记忆体位元形成在基材之上,淡掺杂汲极区域形成在靠近闸极结构的基材之中,其中逻辑位元与记忆体位元利用浅渠沟隔离以互相绝缘;第三图系显示本发明之基材的剖面示意图,氮化矽层全面性沈积在闸极结构与基材之上;第四图系显示本发明之基材的剖面示意图,一光阻层覆盖在记忆体位元与逻辑位元的P通道金氧半元件之上,以露出逻辑位元的N通道金氧半元件,形成氮化矽侧壁在N通道金氧半元件的闸极结构之上,利用离子布植制程形成N通道金氧半元件的源汲极区域;第五图系显示本发明之基材的剖面示意图,一光阻层覆盖在记忆体位元区域与逻辑位元的N通道金氧半元件之上,露出逻辑位元的P通道金氧半元件,进行一离子布植制程,形成P通道金氧半元件的源汲极区域;第六图系显示本发明之基材的剖面示意图,自行对准矽化金属层形成在逻辑位元之源汲极区域与闸极结构之上,在自行对准矽化金属制程之中,利用氮化矽层保护记忆体位元;以及第七图系显示本发明之基材的剖面示意图,一氧化矽层沈积在逻辑位元与记忆体位元,作为嵌入式动态随机存取记忆体之层间介电层,一插塞形成在层间介电层之中,以接触记忆体位元的主动区域,系利用氮化矽层作为自行对准罩幕。 |
