| 主权项 |
1.一种蚀刻剂,其特征为:具有氟酸、过碘酸及硫酸,且前述氟酸与过碘酸之合计之重量比率为0.05-30wt%,且前述硫酸之重量比率为0.05-20wt%,且相对于氟酸之过碘酸之重量比为0.01-2,其组成材料为可将积层有铝膜或铝合金膜与钛膜或钛合金膜的配线的各膜以略同之蚀刻率作一体之蚀刻者。2.一种电子机器基板之制造方法,其特征为:于至少表面为绝缘性之基板上顺序形成铝膜或铝合金膜及钛膜或钛合金膜所成之积层膜之表面形成既定图样之罩体,而使用申请专利范围第1项之蚀刻剂蚀刻上述积层膜,而形成上述既定图样之积层配线者。3.一种电子机器用基板之制造方法,其特征为:于至少表面为绝缘性之基板上顺序形成钛膜或钛合金膜、铝膜或铝合金膜及钛膜或钛合金膜所成之积层膜之表面形成既定图样之罩体,而使用申请专利范围第1项之蚀刻剂蚀刻上述积层膜,而形成上述既定图样之积层配线者。4.一种制造基板的方法,包括:在基板上形成金属层,该金属层至少具有2个不同的金属层;在该金属层上提供一预定的光罩(MASK);以及在预定的光罩中使用具有氟酸、过碘酸及硫酸之蚀刻剂去蚀刻该金属层,其中氟酸与过碘酸之总比重百分比是介于0.05到30比重百分比,其中硫酸之总比重百分比是介于0.05到20比重百分比,而且其中氟酸与过碘酸之比重比率是介于0.01到2。」5.根据申请专利范围第4项之方法,其中该金属层包含一铝或铝合金层与钛或钛合金层。图式简单说明:第1图为揭示本发明之电子机器用基板之制造方法之实施型态例之薄膜电晶体基板之制造方法之工程顺序之概略图。第2图为揭示本发明之电子机器用基板之制造方法之实施型态例之薄膜电晶体基板之制造方法之工程顺序之概略图。第3图为利用本发明之电子机器用基板之制造方法所得之薄膜电晶体基板之部份断面图。第4图为电极电位测量装置之概略构成之示意图。第5图为构成电极之金属与电极电位之关系之示意图。第6图为铝电极与钛电极间之电位差E与铝及钛之积层膜之侧蚀量L之关系之示意图。第7图为使用本实施型态例之薄膜电晶体基板之反射型液晶显示装置之一例之概略图。第8图为蚀刻剂中之过碘酸之含有量与铝电极及钛电极间之电位差之关系之示意图。第9图为蚀刻剂中之氟酸之含有量与铝电极及钛电极间之电位差之关系之示意图。第10图为蚀刻剂中之氟酸之含有量与使用此蚀刻剂蚀刻铝膜与钛膜时之侧蚀量之关系图。第11图为蚀刻剂中之硫酸之含有量与铝电极及钛电极间之电位差之关系之示意图。第12图为一般的薄膜电晶体型液晶显示装置之薄膜电晶体部份之概略示意图。第13图为形成于基板上之铝膜及钛膜之积层膜之断面图。第14图为习知之电子机器用基板之制造方法之工程顺序之概略图。第15图为习知之电子机器用基板之其他制造方法之工程顺序之概略图。 |
