发明名称 半导体装置及其制造方法、以及半导体制造装置
摘要 本发明系关于半导体装置及其制造方法、以及半导体制造装置,例如系关于适用在半导体装置之多段串接接续复数之放大器(半导体放大元件)之多段构成的高频电力放大装置(高频电力放大模组)之制造技术、以及组装该高频电力放大装置之行动电话机等之无线电通讯装置(电子装置)有效之技术。高频电力放大装置具有2个之放大系统。放大系统成为串列接续复数之放大段之构成,电源电压端子成为2端子,一方之电源电压端子分别被接续于一方之放大系统之初段放大段与另一方之放大系统之剩余之放大段,另一方之电源电压端子分别被接续于另一方之放大系统之初段放大段与一方之放大系统之剩余之放大段。螺旋状紧密卷绕0.1mm程度之直线的铜线之直流电阻小之空心线圈串列被接续于各放大系统之最终放大段与电源电压端子之间。各放大系统由于没有由最终放大段之对初段放大段之信号之泄漏、空心线圈之直流电阻小,振荡裕度被改善。空心线圈便宜,能够谋求高频电力放大装置之低成本化。空心线圈以散装物供料器所供给被搭载于模组基板。
申请公布号 TW536805 申请公布日期 2003.06.11
申请号 TW090101158 申请日期 2001.01.18
申请人 日立制作所股份有限公司;秋田电子股份有限公司;日立东部半导体股份有限公司 发明人 京极敏彦;神津正;望月清春;菊池荣;石津昭夫;小林义彦;丸山昌志;神代岩道
分类号 H01L27/00 主分类号 H01L27/00
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种高频电力放大装置,其特征包含:在其主面具有复数个配线的模组基板;以及包含被搭载于该模组基板上的电感器的复数个电子构件;该复数个电子构件系藉由该复数个配线互相电气导通接续,形成高频放大电路;该电感器具有将其的表面以绝缘膜披覆的线材复数卷绕成螺旋状的线圈形状;该线材于其两端部具有由该绝缘膜露出的部份;该模组基板的复数个配线被电气导通接续于该线材的由该绝缘膜露出的部份。2.如申请专利范围第1项记载的高频电力放大装置,其中该线圈系将0.1mm左右的直径的铜线紧密卷绕成内径0.3mm直径左右的螺旋状,两端系使该绝缘膜不存在的一至复数圈的铜线部份当成电极的构成。3.一种高频电力放大装置,其特征包含:输入端子;输出端子;电源电压端子;以及被串联接续于该输入端子与输出端子间的同时,由上述电源电压端子被供给电源电压的复数个放大段,其中被电气导通接续于该放大段的电感器的中一至全部系以将表面被以绝缘膜披覆的线材卷绕成螺旋状,使两端成为电极的线圈构成。4.如申请专利范围第3项记载的高频电力放大装置,其中该线圈系将0.1mm左右的直径的铜线紧密卷绕成内径为0.3mm直径左右的螺旋状,令两端不存在有该绝缘膜的一至复数圈的铜线部份为电极的构成。5.一种高频电力放大装置,其特征包含:输入端子;输出端子;电源电压端子;以及被串联接续于该输入端子与输出端子间的同时,由上述电源电压端子被供给电源电压的复数个放大段,将以绝缘膜披覆表面的线材卷绕成螺旋状,令两端为电极的线圈串联接续于最终放大段与该电源电压端子之间。6.如申请专利范围第5项记载的高频电力放大装置,其中该线圈系将0.1mm左右的直径的铜线紧密卷绕成内径0.3mm直径左右的螺旋状,令两端不存在有该绝缘膜的一至复数圈的铜线部份为电极的构成。7.一种高频电力放大装置,其特征为:具有复数个放大系统;各放大系统为串联接续复数个放大段的多段构成;将以绝缘膜披覆表面的线材卷绕成螺旋状,令两端为电极的线圈串联接续于各放大系统的最终放大段与电源电压端子之间。8.如申请专利范围第7项记载的高频电力放大装置,其中该线圈系将0.1mm左右的直径的铜线紧密卷绕成内径0.3mm直径左右的螺旋状,令两端不存在有该绝缘膜的一至复数圈的铜线部份为电极的构成。9.一种高频电力放大装置,其特征包含:两个放大系统;该各放大系统的输入端子;该各放大系统的输出端子;以及两个电源电压端子,其中该各放大系统为串联接续复数个放大段的多段构成,该一方的电源电压端子分别被接续于该一方的放大系统的初段放大段与该另一方的放大系统的残余的放大段,该另一方的电源电压端子分别被接续于该另一方的放大系统的初段放大段与该一方的放大系统的残余的放大段,将以绝缘膜披覆表面的线材卷绕成螺旋状,令两端为电极的线圈串联接续于该各放大系统的最终放大段与该电源电压端子之间。10.如申请专利范围第9项记载的高频电力放大装置,其中该线圈系将0.1 mm左右的直径的铜线紧密卷绕成内径0.3mm直径左右的螺旋状,令两端不存在有该绝缘膜的一至复数圈的铜线部份为电极的构成。11.一种电子装置,其特征为:由组装包含:在其主面具有复数个配线的模组基板;以及包含被搭载于该模组基板上的电感器的复数个电子构件;该复数个电子构件系藉由该复数个配线互相电气导通接续,形成高频放大电路;该电感器具有将其的表面以绝缘膜披覆的线材复数卷绕成螺旋状的线圈形状;该线材于其两端部具有由该绝缘膜露出的部份;该模组基板的复数个配线被电气导通接续于该线材的由该绝缘膜露出的部份,的半导体装置而成。12.一种无线电通讯装置,其系一种于传送部具有高频电力放大装置,将该高频电力放大装置的输出输出于天线的无线电通讯装置,其特征为:该高频电力放大装置具有:输入端子;以及输出端子;以及电源电压端子;以及被串联接续于该输入端子与输出端子间的同时,由上述电源电压端子被供给电源电压的复数个放大段;被电气导通接续于该放大段的电感器的中一至全部系由令将以绝缘膜披覆表面的线材卷绕成螺旋状的两端为电极的线圈构成。13.如申请专利范围第12项记载的无线电通讯装置,其中该线圈系将0.1mm左右的直径的铜线紧密卷绕成内径0.3mm直径左右的螺旋状,令两端不存在有该绝缘膜的一至复数圈的铜线部份为电极的构成。14.一种无线电通讯装置,其系一种于传送部具有高频电力放大装置,将该高频电力放大装置的输出输出于天线的无线电通讯装置,其特征为:该高频电力放大装置具有:输入端子;输出端子;电源电压端子;以及被串联接续于该输入端子与输出端子间的同时,由上述电源电压端子被供给电源电压的复数个放大段,其中将以绝缘膜披覆表面的线材卷绕成螺旋状,令两端为电极的线圈串联接续于最终放大段与该电源电压端子之间。15.如申请专利范围第14项记载的无线电通讯装置,其中该线圈系将0.1mm左右的直径的铜线紧密卷绕成内径0.3mm直径左右的螺旋状,令两端不存在有该绝缘膜的一至复数圈的铜线部份为电极的构成。16.一种无线电通讯装置,其系一种于传送部具有高频电力放大装置,将该高频电力放大装置的输出输出于天线的无线电通讯装置,其特征为:该高频电力放大装置系:具有复数个放大系统;各放大系统为串联接续复数个放大段的多段构成;将以绝缘膜披覆表面的线材卷绕成螺旋状,令两端为电极的线圈串联接续于各放大系统的最终放大段与电源电压端子之间。17.如申请专利范围第16项记载的无线电通讯装置,其中该线圈系将0.1mm左右的直径的铜线紧密卷绕成内径0.3mm直径左右的螺旋状,令两端不存在有该绝缘膜的一至复数圈的铜线部份为电极的构成。18.一种无线电通讯装置,其系一种于传送部具有高频电力放大装置,将该高频电力放大装置的输出输出于天线的无线电通讯装置,其特征为:该高频电力放大装置具有:两个放大系统;该各放大系统的输入端子;该各放大系统的输出端子;以及两个电源电压端子,其中该各放大系统为串联接续复数个放大段的多段构成,该一方的电源电压端子分别被接续于该一方的放大系统的初段放大段与该另一方的放大系统的残余的放大段,该另一方的电源电压端子分别被接续于该另一方的放大系统的初段放大段与该一方的放大系统的残余的放大段,将以绝缘膜披覆表面的线材卷绕成螺旋状,令两端为电极的线圈串联接续于该各放大系统的最终放大段与该电源电压端子之间。19.如申请专利范围第18项记载的无线电通讯装置,其中该线圈系将0.1mm左右的直径的铜线紧密卷绕成内径0.3mm直径左右的螺旋状,令两端不存在有该绝缘膜的一至复数圈的铜线部份为电极的构成。20.一种半导体装置的制造方法,其系一种以筒夹真空吸引保持以纵列状态排成一列被供给于散装物供料器的散装物供给部的电子零件的前端的电子零件,移送于模组基板上,的后藉由逆流熔解预先被披覆在该模组基板等的焊料,使该电子零件固定于模组基板的半导体装置的制造方法,其特征为:将以纵列状态被供给的该电子零件的前端的电子零件由后续的电子零件分离为指定间隔,的后,以该筒夹真空吸引保持该电子零件,将作为该电子零件的把表面被以绝缘膜披覆的线材紧密卷绕成螺旋状的同时,使两端成为电极的线圈供给于该散装物供给部。21.如申请专利范围第20项记载的半导体装置的制造方法,其中使该前端的电子零件沿着其的纵列方向前进指定间隔,由后续的电子零件分离。22.如申请专利范围第20项记载的半导体装置的制造方法,其中使该前端的电子零件于交叉于其的纵列方向的方向移动指定间隔,由后续的电子零件分离。23.如申请专利范围第20项记载的半导体装置的制造方法,其中使该前端的电子零件于交叉于其的纵列方向的方向移动指定间隔后,沿着该纵列方向该指定间隔,由后续的电子零件分离。24.如申请专利范围第20项记载的半导体装置的制造方法,其中在将该线圈固定于该模组基板的前,先将比该线圈的构装高度还低的其它电子零件固定于该模组基板。25.如申请专利范围第20项记载的半导体装置的制造方法,其中于该模组基板固定1至复数个的半导体放大元件被组装入的半导体晶片,以制造高频电力放大装置。26.一种半导体制造装置,其系具有:收容散装物的散装物收容盒;以及设置在该散装物收容盒的下部的漏斗;以及引导由该漏斗被取入的散装物的搬运轨道;以及被形成在该搬运轨道的前端部份的散装物供给部的半导体制造装置,其特征为:该漏斗系以:上端具有滙集被收容于该散装物收容盒的该散装物的圆锥梯形孔的筒状的导引部;以及具有沿着贯穿该导引部的中心轴,1个导引散装物的导引孔的供给轴构成的同时,该导引部对于该供给轴系相对地上下振动而被控制的构成;该供给轴系在该散装物不会安定载于其的上端地,肉厚薄的筒体。27.如申请专利范围第26项记载的半导体制造装置,其中该散装物是紧密地将以绝缘膜披覆表面的电阻小的线材卷绕成螺旋状,并且可供给令两端为电极的线圈而构成。28.一种半导体制造装置,其系一种具备:收容散装物的散装物收容盒;以及设置在该散装物收容盒的下部的漏斗;以及引导由该漏斗被取入的散装物的搬运轨道;以及形成在该搬运轨道的前端部份的散装物供给部的半导体制造装置,其特征为:该漏斗系以:上端具有滙集被收容于该散装物收容盒的该散装物的圆锥梯形孔的筒状的导引部;以及具有沿着贯穿该导引部的中心轴,1个导引散装物的导引孔的供给轴构成的同时,该导引部对于该供给轴系相对地上下振动而被控制的构成;该导引部的相对的上下动系以:该导引部在下降为最低的状态下,在该供给轴的外圆周面与该导引部的圆锥梯形孔面之间不会产生夹住该散装物之间隙的位置关系而上下动。29.如申请专利范围第28项记载的半导体制造装置,其中该散装物是用以可供给紧密地将以绝缘膜披覆表面的电阻小的线材卷绕成螺旋状,并且令两端为电极的线圈而构成。30.一种半导体制造装置,其系一种具备:收容散装物的散装物收容盒;以及设置在该散装物收容盒的下部的漏斗;以及引导由该漏斗被取入的散装物的搬运轨道;以及被形成在该搬运轨道的前端部份的散装物供给部的半导体制造装置,其特征为:该漏斗系以:上端具有滙集被收容于该散装物收容盒的该散装物的圆锥梯形孔的筒状的导引部;以及具有沿着贯穿该导引部的中心轴,1个导引散装物的导引孔的供给轴构成的同时,该导引部对于该供给轴系相对地上下振动而被控制的构成;该散装物不会堵塞在该供给轴的导引孔内地,该导引孔成为比该散装物还大的圆形剖面的孔。31.如申请专利范围第30项记载的半导体制造装置,其中该散装物是用以可供给紧密地将以绝缘膜披覆表面的电阻小的线材卷绕成螺旋状,并且令两端为电极的线圈而构成。32.一种半导体制造装置,其系一种具备:收容散装物的散装物收容盒;以及设置在该散装物收容盒的下部的漏斗;以及引导由该漏斗被取入的散装物的搬运轨道;以及被形成在该搬运轨道的前端部份的散装物供给部的半导体制造装置,其特征为:形成导引该散装物的导引孔的搬运轨道构件不会钩住沿着该导引孔移动的散装物地,以无接痕的1个构件形成。33.如申请专利范围第32项记载的半导体制造装置,其中该散装物是用以可供给紧密地将以绝缘膜披覆表面的电阻小的线材卷绕成螺旋状,并且令两端为电极的线圈而构成。34.一种半导体制造装置,其系一种具备:收容散装物的散装物收容盒;以及设置在该散装物收容盒的下部的漏斗;以及引导由该漏斗被取入的散装物的搬运轨道;以及被形成在该搬运轨道的前端部份的散装物供给部;以及通过导引孔将该散装物移动至该散装物供给部为止的真空吸引机构的半导体制造装置,其特征为:该散装物供给部具有:具有定位停止使在该搬运轨道的该导引孔内以纵列状态排成一列移动而至的前端的散装物的阻挡部以及承受该前端的散装物的承受部的同时,沿着散装物移送方向往复运动自如地被安装在该搬运轨道的滑动件;以及对于该滑动件,沿着散装物移送方向往复运动自如地被安装,而且使该导引孔的上面开闭的开闭器;该前端的散装物进入该承受部后,使该真空吸引停止,接着,使该前端的散装物由后续的散装物拉开地使该滑动件移动指定距离,接着,使该开闭器移动,使位于该承受部上的前端的散装物露出,以成为可以供给状态的构成。35.如申请专利范围第34项记载的半导体装置,其中该承受部被设置在导引孔的延长线上。36.如申请专利范围第34项记载的半导体装置,其中该承受部比该散装物被移送的导引孔的底面还低一截。37.如申请专利范围第31项记载的半导体制造装置,其中在该承受部的后端具有:突出于收容在该承受部的该散装物的端侧的突出部。38.如申请专利范围第34项记载的半导体装置,其中该散装物的真空吸引的设定与解除系藉由以该开闭器的移动而开放或塞住被设置于搬运轨道本体的真空吸引通路的球体而进行地构成。39.如申请专利范围第34项记载的半导体装置,其中该漏斗系以:上端具有滙集被收容于该散装物收容盒的该散装物的圆锥梯形孔的筒状的导引部;以及具有沿着贯穿该导引部的中心轴,以纵列状态一列地导引散装物的导引孔的供给轴构成,设置连通于该导引孔的空气供给路径,空气被吹入该空气供给路径地构成。图式简单说明:第1图系显示本发明之一实施形态(实施形态1)之高频电力放大装置之被搭载于模组基板之电子零件之布置之平面图。第2图系显示本实施形态1之高频电力放大装置之外观之斜视图。第3图系显示被搭载于前述模组基板之线圈之模型图。第4图系显示本实施形态1之高频电力放大装置之电路构成之方块图。第5图系本实施形态1之高频电力放大装置之被形成在模组基板之电源线之等效电路图。第6图系显示导波线之损失之曲线图。第7图系显示小片式电感器之损失之曲线图。第8图系显示线圈之损失之曲线图。第9图系显示线圈与小片式线圈之DC电阻与电感器之相关之曲线图。第10图系显示本实施形态1之高频电力放大装置被组装之行动电话机之一部份之构成之方块图。第11图系显示在本实施形态1之高频电力放大装置之制造中,使用本发明之散装物供料器或筒夹等在模组基板构装线圈之状态之模型图。第12A、B、C图系显示前述线圈之构装状态之模型图。第13图系显示前述散装物供料器之漏斗部份之模型剖面图。第14图系前述漏斗之平面图。第15图系显示连接于前述漏斗,搬运线圈之线圈搬运轨道之正面图。第16图系显示前述漏斗之线圈之检测部份之剖面图。第17图系显示第16图之一部份之放大剖面图。第18图系前述线圈搬运轨道之前端之散装物供给部之真空吸引状态之放大剖面图。第19图系显示第18图之一部份之更放大之放大剖面图。第20图系在使前述散装物供给部之真空吸引停止之状态之放大剖面图。第21图系显示第20图之一部份之更放大之放大剖面图。第22图系将前述散装物供给部之前端之线圈由其它线圈拉开之状态之放大剖面图。第23图系显示第22图之一部份之更放大之放大剖面图。第24图系将前述散装物供给部之前端之线圈以筒夹保持之状态之放大剖面图。第25图系显示第24图之一部份之更放大之放大剖面图。第26图系显示将其它构造之线圈搭在于模组基板之状态之放大模型图。第27图系由侧方观看第26图之线圈等之放大模型图。第28图系显示于第26图之线圈之放大平面图。第29图系显示于第26图之线圈之放大剖面图。第30图系显示于第26图之线圈之放大侧面图。第31A、B图系显示其它构造之线圈之放大平面图。第32图系显示本发明之其它之实施形态(实施形态2)之散装物供料器之一部份之模型图。第33图系显示本发明者等先于本发明检讨之高频电力放大装置之电路构成之方块图。第34图系显示习知之散装物供料器之模型图。第35图系显示习知之散装物供料器之漏斗部份之模型剖面图。第36图系习知之漏斗部份之平面图。第37图系习知之散装物供料器之散装物供给部之真空吸引状态之放大剖面图。第38图系显示第37图之一部份之更放大之放大剖面图。第39图系习知之前述散装物供给部之开闭器打开之状态之放大剖面图。第40图系显示第39图之一部份之更放大之放大剖面图。第41图系由习知之散装物供料器之前述散装物供给部以筒夹保持线圈之状态之放大剖面图。第42图系显示第41图之一部份之更放大之放大剖面图。第43图系显示于散装物供给部中,没有产生相互钩住而排列之线圈之模型图。第44A、B图系显示排列于散装物供给部之前端线圈与其之后方之线圈相互钩住之状态之模型图。
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