| 摘要 |
本发明提供一种可提高每单位面积的电容器电容的技术及可简化伴随其的制程的技术。在电容器形成区域表面形成至少一个以上的凹凸电容器形成沟4a，以增加电容器表面积，可提高每单位面积的电容器电容。此外，以同一步骤形成前述电容器形成沟4a和形成于半导体基板1表面的元件分离沟4，可简化制程。此外，以同一步骤形成电容器形成区域的电容器的介电膜16a和MISFET形成区域的高耐压用闸绝缘膜16。或是以同一步骤形成电容器形成区域的电容器的介电膜16a及记忆胞形成区域的多晶矽层10a和多晶矽层17之间的记忆体闸层间膜11。 |
