双金属氧化物－氮化物－氧化物半导体阵列金属位结构及单个单元操作

摘要

本发明提供一种双MONOS金属位线阵列的寻址方法，其读取及程序化一双MONOS金属位线阵列，其使用一具有X、Y及Z维的三维程序化方法，字线地址为X地址，控制栅极线地址为X及Z地址的函数、且位线地址为X及Y地址的函数，因为内存阵列的位线及控制栅极线呈直角，所以可清除一单个单元及一相邻的内存，该相邻的内存具有相同已选择位及控制栅极线，其要抑制藉由施加适当电压到未选择字组、控制栅极及位线上的清除。

主权项

1.一种双MONOS金属位线阵列的寻址方法，包括：a)把一低字线地址到一高字线地址标记为字线；b)把一低控制栅极地址到一高控制栅极地址标记为控制栅极线；c)把一低位线地址数目到一高位线地址数目标记为位线，且对于每个该地址数目有一个“偶数”及“奇数”的额外指定；d)选择一组三维地址“X”、“Y”、及“Z”；e)选择该字线地址作为“X”地址；f)选择该控制栅极地址作为“X”及“Z”地址的函数；及g)选择该位地址作为“Y”及“Z”地址的函数，且不管控制栅极地址是“偶数”或“奇数”。