光电二极体元件及光电二极体感测器之制造方法及半导体装置

摘要

本发明提供之光电二极体元件包括一位于一基底之一井区、一位于井区之浮置节点、及一位于与浮置节点之侧边上方之一浅沟槽隔离区域。一无边界接触点缓冲层，至少位于浮置节点上；以及一内层介电层，位于无边界接触点缓冲层上。一无边界接触点经由内层介电层及无边界接触点缓冲层而延伸至浮置节点。