发明名称 高分子化合物,光阻材料与图型之形成方法
摘要 一种重量平均分子量为1,000至500,000之高分子化合物,其系为含有下记式(1)所示单位者;(式中,R1为H、甲基或CH2CO2R3;R2为H、甲基或CO2R3;R3为烷基;R4为H、烷基、烷氧烷基、或醯基;R5与R15为酸不稳定基;R6至R9中至少1个为羧基或含羟基之1价烃基,其他部分为H或烷基; R10至R13中至少1个为含-CO2-部分构造之1价烃基,其他部分为H或烷基;R14为多环式烃基或含多环式烃基之烷基;Z为3价之烃基,k为0或1;x为超过0之数,a、b、c、d为0以上之数)。本发明之光阻材料,可感应高能量线,且具有优良之感度、解像性、耐蚀刻性等,故极适用于电子线或远紫外线之微细加工。特别是对ArF等离子雷射、KrF等离子雷射等曝光波长之吸收较少,所以极容易形成微细且对基板为垂直之图型。
申请公布号 TWI228205 申请公布日期 2005.02.21
申请号 TW090105041 申请日期 2001.03.05
申请人 信越化学工业股份有限公司 发明人 西恒宽;长谷川幸士;渡边武;金生刚;山润
分类号 G03F7/039 主分类号 G03F7/039
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种重量平均分子量1,000至500,000之高分子化合物,其系含有下记式(1)所示重复单位者;(式中,R1为氢原子、甲基或CH2CO2R3;R2为氢原子、甲基或CO2R3;R3为碳数1至15之直链状、支链状或环状之烷基;R4为氢原子、碳数1至15之直链状、支链状或环状烷基、碳数2至15之直链状、支链状或环状烷氧烷基、或碳数1至15之直链状、支链状或环状醯基;R5与R15为酸不稳定基;R6至R9中至少1个为碳数1至15之羧基或含羟基之1价烃基,其他部分为各自独立之氢原子或碳数1至15之直链状、支链状或环状烷基;R6至R9可相互形成环,此时,R6至R9中至少1个为碳数1至15之羧基或含羟基之2价烃基,其他部分为各自独立之单键或碳数1至15之直链状、支链状或环状伸烷基;R10至R13中至少1个为碳数2至15之含-CO2-部分构造之1价烃基,其他部分为各自独立之氢原子或碳数1至15之直链状、支链状或环状烷基;R10至R13可相互形成环,此时,R10至R13中至少1个为碳数1至15之-CO2-部分构造之2价烃基,其他部分为各自独立之单键或碳数1至15之直链状、支链状或环状伸烷基;R14为碳数7至15之多环式烃基或含有多环式烃基之烷基;Z为碳数1至10之3价烃基,Z可与R1形成环,此情形中,R1为伸甲基、Z为碳数1至10之4价烃基;k为0或1;x为超过0之数,a、b、c、d为0以上之数,且x+a+b+c+d=1)。2.如申请专利范围第1项之高分子化合物,其中,R5与R15之酸不稳定基系由下记(L1)至(L4)所示之基、碳数4至20之三级烷基、各烷基为碳数1至6之三烷基矽烷基、碳数4至20之羰烷基中所选出之1种或2种以上者;(式中,RL01、RL02为氢原子或碳数1至18之直链状、支链状或环状烷基;RL03为碳数1至18之可含有氧原子等杂原子之1价烃基;RL01与RL02、RL01与RL03、RL02与RL03可形成环,形成环时,RL01、RL02、RL03各自为碳数1至18之直链状或支链状之伸烷基;RL04为碳数4至20之三级烷基、各烷基为碳数1至6之三烷基矽烷基、碳数4至20之羰烷基或上记式(L1)所示取代基;RL05为碳数1至8之直链状、支链状或环状烷基或碳数6至20之可被取代之芳基;RL06为碳数1至8之直链状、支链状或环状烷基或碳数6至20之可被取代之芳基;RL07至RL16为各自独立之氢原子或碳数1至15之可含有杂原子的1价烃基:RL07至RL16可相互形成环,此时,其可为碳数1至15之可含有杂原子的2价烃基;又,RL07至RL16之相邻接之碳进行键结时,可无须夹有其他原子下键结,亦可形成双键;y为0至6之整数;m为0或1,n为0、1、2或3,且为满足2m+n=2或3之数)。3.如申请专利范围第1项之高分子化合物,其式(1)中之R2为氢原子或甲基。4.如申请专利范围第1项之高分子化合物,其式(1)中之Z为碳数1至3之直链状或支链状之伸烷基,Z可为附有根原子之碳原子与R1共同形成之环戊环,惟此时R1为伸甲基,Z为伸四甲基。5.一种光阻材料,其系含有申请专利范围第1至4项中任一项之高分子化合物者。6.一种图型之形成方法,其特征系包含将申请专利范围第5项之光阻材料涂布于基板上之步骤与,于加热处理后介由光罩使用高能量线或电子线进行曝光之步骤与,必要时于加热处理后使用显影液进行显影之步骤。
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