| 主权项 |
1.一种制造快闪记忆体装置之方法,包括下列步骤: 在一已有一装置绝缘膜形成于其上之半导体基板 上,相继形成一用于浮动闸电极之第一多晶矽膜、 一用于硬光罩之多晶矽膜以及一第二氧化物膜; 在该第二氧化物膜之一预先决定区域上形成光阻 图案,藉此蚀刻并且图案化该第二氧化物膜及该用 于硬光罩之多晶矽膜,并且去除该等光阻图案; 藉由在成形结构之整个表面上形成并且蚀刻一用 于形成间隔物的多晶矽膜,在该用于硬光罩之多晶 矽膜的多个侧壁上形成多个间隔物; 去除该被曝晒之第一氧化物膜及形成于该已图案 化之用于硬光罩之多晶矽膜上之一预先决定厚度 之第二氧化物膜; 使用该已图案化之用于硬光罩之多晶矽膜及该等 间隔物当做一蚀刻光罩,用以执行一蚀刻制程,藉 此形成多个浮动闸电极图案; 执行一清洁制程来清洁成形结构的整个表面,并且 同时去除残余之第二氧化物膜;以及 在已有该等浮动闸电极图案形成于其上的成形结 构上,相继形成并且图案化一氧化物/氮化物/氧化 物(ONO)膜、一用于控制闸电极之第二多晶矽膜、 一金属矽化物膜以及一硬光罩,藉此形成控制闸电 极图案。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中藉由使用一掺 杂之多晶矽膜、一掺杂之非晶矽膜、一离子植入 之多晶矽膜与一离子植入之非晶矽膜其中之一,来 形成用于浮动闸电极之该第一多晶矽膜。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中藉由使用一掺 杂之多晶矽膜、一掺杂之非晶矽膜、一未掺杂之 多晶矽膜与一未掺杂之非晶矽膜其中之一,来形成 该用于硬光罩之多晶矽膜。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中藉由使用一掺 杂之多晶矽膜、一掺杂之非晶矽膜、一未掺杂之 多晶矽膜与一未掺杂之非晶矽膜其中之一,来形成 该用于形成间隔物之多晶矽膜。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中使用Cl2、HBr与 F之一当做一蚀刻气体,按照一乾式蚀刻制程来蚀 刻在该第二氧化物膜及该用于硬光罩之多晶矽膜 。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中执行用于形成 该等间隔物之蚀刻制程,促使该用于形成间隔物之 多晶矽膜相对于该第一氧化物膜和该第二氧化物 膜的蚀刻选择率为10:1。 7.如申请专利范围第6项之方法,其中该蚀刻制程系 一种使用Cl2、HBr与F之一当做蚀刻气体的乾式蚀刻 制程。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中执行用于形成 该浮动闸电极之蚀刻制程,促使该第一多晶矽膜相 对于该第一氧化物膜的蚀刻选择率为15:1。 9.如申请专利范围第1项之方法,其中去除残余之第 二氧化物膜,促使该用于形成硬光罩和间隔物之多 晶矽膜相对于该第一氧化物膜的蚀刻选择率为15:1 。 10.一种制造快闪记忆体装置之方法,包括下列步骤 : 在一已有一装置绝缘膜形成于其上之半导体基板 上,相继形成一用于浮动闸电极之第一多晶矽膜及 一氮化物膜,并且在该氮化物膜之一预先决定区域 上形成光阻图案; 使用该光阻图案当做一蚀刻光罩,蚀刻并且图案化 该氮化物膜; 使用该已图案化之氮化物膜当做一蚀刻光罩,蚀刻 并且图案化该第一多晶矽膜; 去除该等光阻图案; 去除该已图案化之氮化物膜,藉此完成形成浮动闸 电极图案;以及 在已有该等浮动闸电极图案形成于其上的成形结 构上,相继形成并且图案化一氧化物/氮化物/氧化 物(ONO)膜、一用于控制闸电极之第二多晶矽膜、 一金属矽化物膜以及一硬光罩,藉此形成控制闸电 极图案。 11.如申请专利范围第10项之方法,其中按照第一蚀 刻制程及第二蚀刻制程来蚀刻该氮化物膜。 12.如申请专利范围第11项之方法,其中该第一蚀刻 制程的执行方式为,使用CHF3与CF4当做主要气体并 且使用Ar、O2、N2、HBr与Cl2之一当做一添加气体。 13.如申请专利范围第11项之方法,其中该第二蚀刻 制程的执行方式为,使用CHF2与HBr之一当做一主要 气体。 14.如申请专利范围第10项之方法,其中蚀刻该第一 多晶矽膜的方式为,使用HBr与Cl2当做主要气体并且 使用O2或N2当做一添加气体。 图式简单说明: 图1至图8显示用于解说根据本发明第一具体实施 例之制造快闪记忆体装置之方法之相继步骤的断 面图;以及 图9至图14显示用于解说根据本发明第二具体实施 例之制造快闪记忆体装置之方法之相继步骤的断 面图。 |
