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发明名称 METHOD FOR SELECTIVE EPITAXIAL DEPOSITION OF INTERMETALLIC SEMICONDUCTOR COMPOUNDS
摘要
申请公布号 US3752714(A) 申请公布日期 1973.08.14
申请号 USD3752714 申请日期 1970.07.31
申请人 HITACHI LTD,JA 发明人 ITO K,JA;IIDA S,JA
分类号 H01L21/20;H01L21/306;H01L29/04;(IPC1-7):H01L7/36;H01L7/50 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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