| 主权项 |
1.一种与硫化镉一硫化铜型太阳电池之 硫化铜层形成电力接触之方法,其特 征在于将硫化铜层上沈积以一厚膜状 之铜及氧化(亚)铜层(18)者。2.一种制造硫化镉太 阳电池之方法,该 方法包括下列过程:于基质上涂覆导 电性物质以形成前端接触层、于前端 接触层上形成一硫化镉层、于硫化镉 层上形成一硫化铜层以产生一光电伏 打接合部、及于硫化铜层上形成一后 端接触层,其特征在于该后端接触层 系藉于硫化铜层(16)上沈积一层铜 及氧化(亚)铜之混合层(18)者。3.依请求专利部份 第1.及第2.项所述之 方法,其中于沈积铜及氧化(亚)铜 层后,对该电池进行热处理而使(亚 )铜离子迁移以改进电池之电力性能 者。4.依请求专利部份第3.项所述之方法, 其特征在于该热处理方法系将该电池 在空气中于150℃之温度加热10分 钟者。5.依请求专利部份第2.、第3.及第4.项 所述之方法,其特征在于形成后端接 触层后,将该电池包封于保护层内者 。 |
