| 主权项 |
1.一种电发光叠片,包括:一平面磷层;在该磷层两侧之前、后平面电极;一平面介质层,介于后电极与磷层之间,此介质层是由一烧结的陶瓷材料形成,使介质层的介质强度大于约1.0 106V/m,且使介质层的介质常数对磷层的介质常数之比値约大于50:1,介质层的厚度对磷层的厚度之比値在20:1至500:1的范围内,介质层有一邻近磷层之表面,十分平滑,使该磷层在一既定激励电压下整体均匀地发光,且其中介质层或与磷层接触,或至少以一额外层与其隔开,额外层本身则与磷层接触,且其中与磷层接触的层能与磷层贴合。2.如申请专利范围第1项之电发光叠片,其中介质层的介质常数对磷层的介质常数之比値约大于100:1,而其中介质层对磷层的厚度比値约在40:1到300:1的范围内。3.如申请专利范围第1项之电发光叠片,其中磷层为包夹在一前电极及一后电极之间的薄膜层,前电极为透明的,磷层以该介质层与后电极分隔。4.如申请专利范围第3项之电发光叠片,其中介质层之介质常数约大于500,而厚度约在10-300微米的范围内。5.如申请专利范围第4项之电发光叠片,其中介质层至少含两层,一第1介质层形成于后电极上而且具有如申请专利范围第4项之介质强度及介质常数,以及一第2介质层形成于第1介质层上,其表面邻接于磷层,十分平滑,使磷层在一既定激励电压下整体均匀发光,第1及第2介质层具有如申请专利范围第4项所述之组合厚度。6.如申请专利范围第5项之电发光叠片,其中第1及第2介质层是由铁电陶瓷材料所形成。7.如申请专利范围第5项之电发光叠片,其中第2介质层的介质常数至少为20,厚度至少约为2微米。8.如申请专利范围第7项之电发光叠片,其中第1介质层的介质常数至少为1000,而第2介质层的介质常数至少为100。9.如申请专利范围第8项之电发光叠片,其中第1介质层之厚度约在20-150微米的范围内,而第2介质层之厚度约在2-10微米之范围内。10.如申请专利范围第9项之电发光叠片,其中第1及第2介质层是由具有钙钛矿结晶构造的铁电陶瓷材料所形成。11.如申请专利范围第1项之电发光叠片,其中该叠片含一后基体,其上形成后电极,该基体具有充分的硬度以支撑叠片。12.如申请专利范围第10项之电发光叠片,其中该叠片含一后基体,其上形成后电极,该基体具有充分的硬度以支撑叠片。13.如申请专利范围第5.6或12项之电发光叠片,其中该基体及后电极是由能承受约850℃温度的材料形成,且其中第1介质层是以厚膜技术随后在低于后电极与基体的熔点温度下烧结而形成。14.如申请专利范围第13项之电发光叠片,其中第1介质层是以滤网印刷形成。15.如申请专利范围第13项之电发光叠片,其中第2介质层是以溶凝胶技术随后在低于后电极及基体的熔点温度下烧结而形成。16.如申请专利范围第14项之电发光叠片,其中第2介质层是以包括自旋沉积或液浸的溶凝胶技术随后在低于后电极及基体的熔点温度下烧结而形成。17.如申请专利范围第5.6.11或12项之电发光叠片,其中第1介质层是由铌酸铅形成,而其中第2介质层是由锆酸钛酸铅或锆酸钛酸铅镧形成。18.如申请专利范围第13项之电发光叠片,其中第1介质层是由铌酸铅形成,而第2介质层是由锆酸钛酸铅或锆酸钛酸铅镧形成。19.如申请专利范围第16项之电发光叠片,其中第1介质层是由铌酸铅形成,而其中第2介质层是由锆酸钛酸铅或锆酸钛酸铅镧形成。20.如申请专利范围第11或12项之电发光叠片,其中该基体是氧化铝。21.如申请专利范围第19项之电发光叠片,其中该基体是氧化铝。22.如申请专利范围第16项之电发光叠片,其中邻接磷层的介质层之表面其起伏在1000微米内不会变化大于约0.5微米。23.如申请专利范围第19项之电发光叠片,其中后电极是以在氧化铝基体上烧成的银铂位址线形成,而前电极是以氧化铟锡位址线形成。24.如申请专利范围第23项之电发光叠片,在前电极上面并含一密封层。25.如申请专利范围第1.11或12项之电发光叠片,其中介质层与该磷层接触贴合。26.如申请专利范围第5.11或12项之电发光叠片,其中第二介质层与该磷层接触贴合。27.如申请专利范围第4.5.11或12项之电发光叠片,其中邻接于磷层之介质层表面之起伏在约1000微米内不会变化大于约0.5微米。28.一种电发光叠片,具一夹在前、后电极间之磷层,且磷层以一介质层与后电极分开,其特征为:介质层至少形成两层,第一介质层形成于后电极上,第二介质层则形成于第一介质层上,第二介质层有一十分平滑的表面使磷层在一既定的激励电压下整体均匀地发光,第一与第二介质层以烧结的陶瓷材料形成,其介质强度大于约1.0106V/m,介质层的介质常数对磷层的介质常数之比値大于约50:1,第一与第二介质层合起来的厚度对磷层厚度之比値在20:1至500:1的范围内。29.如申请专利范围第28项之电发光叠片,其中介质层对磷层的介质常数之比値约大于100:1,且其中介质层之组合厚度使得介质层对磷层的厚度之比値约在40:1到300:1的范围内。30.如申请专利范围第29项之电发光叠片,其中第一介质层之介质常数大于500,厚度约在10至300微米的范围内,且其中第二介质层之介质常数至少是20,厚度至少2微米。31.如申请专利范围第30项之电发光叠片,其中第一与第二介质层是由铁电陶瓷材料形成。32.如申请专利范围第31项之电发光叠片,其中第1介质层提供至少1000的介质常数,而第2介质层提供至少100的介质常数。33.如申请专利范围第32项之电发光叠片,其中第1介质层之厚度约在20-150微米之范围内,而第2介质层之厚度约在2-10微米之范围内。34.如申请专利范围第33项之电发光叠片,其中第1及第2介质层是由具有钙钛矿结晶构造的铁电陶瓷材料形成。35.如申请专利范围第28项之电发光叠片,其中该叠片含一后基体,其上形成后电极,该后基体具有充分的硬度以支撑叠片。36.如申请专利范围第34项之电发光叠片,其中该叠片含一后基体,其上形成后电极,该后基体具有充分的硬度以支撑叠片。37.如申请专利范围第35或36项之电发光叠片,其中第1介质层是以厚膜技术在后电极上形成,接着在低于后电极或基体的熔点温度下烧结。38.如申请专利范围第35或36项之电发光叠片,其中第1介质层以滤网印刷形成,接着在低于后电极或基体的熔点温度下烧结。39.如申请专利范围第36项之电发光叠片,其中第2介质层以溶凝胶技术形成,随后在低于后电极或基体的熔点温度下烧结。40.如申请专利范围第39项之电发光叠片,其中溶凝胶技术包含自旋沉积或液浸。41.如申请专利范围第28.35.36或40项之电发光叠片,其中第1介质层是由铌酸铅形成,而其中第2介质层是由锆酸钛酸铅或锆酸钛酸铅镧形成。42.如申请专利范围第28或40项之电发光叠片,其中第二介质层表面具有之表面起伏在约1000微米内其变动不会大于约0.5微米。43.如申请专利范围第28项之电发光叠片,其中第一介质层以厚膜技术形成于后电极上,接着在低于后电极的熔点温度下烧结。44.一种在电发光叠片内形成介质层之方法,其型式包括一磷层夹在前后电极之间,磷层以一介质层与后电极分开,包含:以厚膜技术在后电极上沉积一陶瓷材料,接着藉烧结形成一介质强度约大于1.0106V/m的介质层,使得介质层对磷层之介质常数对磷层的介质常数之比値约大于50:1,且使介质层对磷层的厚度比値在约20:1到500:1的范围内,介质层形成一表面邻接于磷层,十分平滑使磷层在既定激励电压下整体均匀地发光,且其中介质层或与磷层接触或至少以一额外层与其隔开,额外层本身与磷层接触,且其中与磷层接触的层能与磷层贴合。45.如申请专利范围第44项之方法,其中介质层对磷层的介质常数比値约大于100:1,而其中介质层对磷层的厚度比値约在40:1到300:1的范围内。46.如申请专利范围第44项之方法,其中介质层是形成电发光叠片中,其型式包括一薄膜磷层夹在一前透明电极及一后电极之间,并与后电极以介质层分隔。47.如申请专利范围第46项之方法,其中介质层的介质常数约大于500,而介质层的厚度约在10-300微米的范围内。48.如申请专利范围第47项之方法,其中此介质层至少形成两层,一第1介质层以厚膜技术沉积在后电极上,而且具有如申请专利范围第47项所述之介质强度及介质常数,而一第2介质层则沉积在第2介质层上以提供如申请专利范围第44项所述之邻接于磷层的表面,第1及第2介质层具有如申请专利范围第47项所述之组合厚度。49.如申请专利范围第48项之方法,其中第1及第2介质层是由铁电陶瓷材料所形成。50.如申请专利范围第48项之方法,其中第2介质层提供一至少20的介质常数,以及至少约2微米的厚度。51.如申请专利范围第50项之方法,其中第1介质层提供至少1000的介质常数,而第2介质层则提供至少100的介质常数。52.如申请专利范围第51项之方法,其中第1介质层具有约20-150微米范围内的厚度,而第2介质层具有约2-10微米范围内的厚度。53.如申请专利范围第52项之方法,其中第1及第2介质层是由具有钙钛矿结晶构造的铁电陶瓷材料所形成。54.如申请专利范围第44项之方法,其中后电极在一后基体上形成,该基体具有充分的硬度以支撑叠片。55.如申请专利范围第53项之方法,其中后电极在一后基体上形成,该基体具有充分的硬度以支撑叠片。56.如申请专利范围第55项之方法,其中基体与后电极是以能承受约850℃温度的材料形成,且其中第1介质层是以厚膜技术沉积,随后在低于后电极或基体的熔点温度下烧结。57.如申请专利范围第56项之方法,其中第1介质层以滤网印刷沉积。58.如申请专利范围第56项之方法,其中第2介质层以溶凝胶技术沉积,随后在低于后电极或基体的熔点温度下烧结。59.如申请专利范围第57项之方法,其中第2介质层以包括自旋沉积或液浸的溶凝胶技术沉积,随后在低于后电极或基体熔点的温度下烧结。60.如申请专利范围第53项、54或55项之方法,其中第1介质层是由铌酸铅形成,而其中第2介质层则由锆酸钛酸铅或锆酸钛酸铅镧形成。61.如申请专利范围第56项之方法,其中第1介质层是由铌酸铅形成,而其中第2介质层则由锆酸钛酸铅或锆酸钛酸铅镧形成。62.如申请专利范围第59项之方法,其中第1介质层是由铌酸铅形成,而其中第2介质层则以锆酸钛酸铅或锆酸钛酸铅镧形成。63.如申请专利范围第54.55或59项之方法,其中基体是氧化铝。64.如申请专利范围第62项之方法,其中基体是氧化铝。65.如申请专利范围第47.48或59项之方法,其中邻接于磷层的介质层表面接触贴合于磷层,其表面之起伏在约1000微米内之变动不大于0.5微米。66.如申请专利范围第62项之方法,其中介质层形成于一叠片中,此叠片具有由烧制的银/铂位址线在一氧化铝基体上形成的后电极及由氧化铟锡位址线所形成的前电极。67.如申请专利范围第66项之方法,其中介质层形成于在前极上面具有密封层的叠片中。68.一种形成电发光显示板之程序,由一电发光叠片电性连至电压驱动电路形成,该电发光叠片具有:一磷层,夹在交叉的前后位址线组之间,后位址线形成于一具充分硬度以支片之基体上,而磷层则以一或多层介质层与后位址线分开,并选择性地与前位址线分开,包含下述步骤:(a)提供一基体,形成许多通孔,其图型靠近位址线的端点顺序形成;(b)形成一经由基体中各通孔的导电路径以提供各位址线之电连接,因而形成对电压驱动电路之电连接;(c)在基体上形成间隔的后位址线,各线之一端邻接一通孔,并与其中的导电路径电性相连;(d)在后位址线上形成一介质层;(e)在介质层上形成磷层;(f)在磷层上选择性地形成一透明介质层;然后(g)在磷层或透明介质层上形成间隔的前位址线,各线之一端邻接一通孔,并与其中的导电路径电性相连。69.如申请专利范围第68项之程序,其中电压驱动电路包括电压驱动元件,且在步骤(b)中,一电路图型印在基体的后面,其图型使电压驱动元件可以安装于基体后面的电路图型中,而其输出藉导电路径经各通孔连至位址线。70.如申请专利范围第69项之程序,其中在步骤(b)中,一导电材料沉积于各通孔中而形成基体各边之前后连接垫,后连接垫将位址线经由后印刷电路图型连接至电压驱动元件,其中在步骤(c)与(g)中,各位址线之一端或是叠合于一前连接垫,或者是在前连接垫与各位址线之一端间沉积一额外的导电材料。71.如申请专利范围第70项之程序,其中基体及后位址线是由能耐约850℃温度的材料形成。72.如申请专利范围第71项之程序,其中基体是不透明的,且其中通孔以雷射形成。73.如申请专利范围第72项之程序,其中基体是氧化铝。74.如申请专利范围第71项之程序,其中基体大抵是长方形,且其中通孔形成于基体的周围,并邻接于基体至少两边上顺序形成的位址线之端点上。75.如申请专利范围第74项之程序,其中步骤(b)及(c)所用的导电材料是一烧制的厚膜糊。76.如申请专利范围第75项之程序,其中在导电路径、后电路图型及前后连接垫的导电材料是烧制的银/铂糊,而用以连接前位址线至前连接垫的导电材料是银。77.如申请专利范围第69项之程序,其中在步骤(b)中,通过各通孔的导电路径是由印制在基体后面上的电路图型的厚膜导电糊形成的,通过基体内的通孔提供基体各边上的前后连接垫,然后烧制,该后连接垫提供电连接至电压驱动电路,而前连接垫提供电连接至步骤(c)形成的后位址线,且其中在步骤(g)中前位址线以一第2导电材料连至前连接垫。78.如申请专利范围第77项之程序,其中基体及后位址线由可承受约850℃温度的材料形成。79.如申请专利范围第78项之程序,其中基体通常是长方形,而且其中通孔围绕基体周边形成,邻接基体至少两侧上各位址线之终端。80.如申请专利范围第79项之程序,其中在步骤(b)及(c)中的厚膜糊是一种烧制的银铂糊,而步骤(g)中的第2导电材料是银。81.如申请专利范围第77项之程序,其中步骤(d)中的介质层是在后电极上沉积一陶瓷材料而形成,以厚膜技术再以烧结法形成约大于1.0106V/m介质强度的介质层,使介质材料对磷杽料的介质常数比値约大于50:1,且介质层厚度对磷层厚度之比値约在20:1到500:1的范围内,介质层形成邻接磷层的表面,十分平滑,使磷层在既定激励电压下整体均匀地发光。82.如申请专利范围第81项之程序,其中介质层至少形成两层,一第1介质层以厚膜技术再以烧结法沉积于后电极上,且具有如申请专利范围第81项所述之介质强度及介质常数,以及一第2介质层以溶凝胶技术再以烧结法沉积于第1介质层上,以提供如申请专利范围第81项所述之邻接于磷层的表面,第1及第2介质层具有如申请专利范围第81项所述之组合厚度。83.如申请专利范围第82项之程序,其中第1及第2介质层是由具有钙钛矿结晶构造的铁电陶瓷材料形成,其中第1介质层提供至少1000的介质常数且具有约20-150微米的厚度,且其中第2介质层提供至少100的介电常数并具有约2-10微米的厚度。84.如申请专利范围第77项之程序,其中第1介质层是以滤网印刷及烧结一厚膜介质糊形成,而第2介质层是以溶凝胶技术再用烧结法形成。85.如申请专利范围第84项之程序,其中此第1介质层是由铌酸铅形成,而其中第2介质层是由锆酸钛酸铅或锆酸钛酸铅镧形成。86.一种在一具有至少一上盖层及至少一下垫层的平面叠片中用雷射刻划图型的程序,包含:施加聚焦的雷射光束于叠片的上盖层上,该雷射光束具有实质上不为此上盖层吸收但为下垫层吸收的波长,使得下垫层的至少一部分直接烧蚀,上盖层则间接地烧蚀而贯穿其厚度。87.如申请专利范围第86项之程序,其中上盖层对可见光是透明的,而下垫层对可见光是不透明的,且其中雷射光束的波长是在电磁频谱的可见光或红外线区域内。88.如申请专利范围第86项之程序,其中各层的组成及厚度成为:T>T其中:=下垫层的吸收系数;=上盖层的吸收系数;T=下垫层的厚度;及T=上盖层的厚度。89.如申请专利范围第88项之程序,其中各层的组成使得上盖层的汽化温度低于下垫层的汽化温度。90.如申请专利范围第89项之程序,其中各层的组成使上盖层具有较下垫层更高的热传导性。91.如申请专利范围第86项之程序,其中上盖层是一种透明导电材料,在其中刻划着电极图型。92.如申请专利范围第91项之程序,其中电极图型是相对移动叠片及雷射光束之一或两者而形成。93.如申请专利范围第92项之程序,其中叠片是一种电发光叠片,具有磷层夹在前后之交错位址线间,后位址线形成于后基体上,而磷层以一或多个介质层与后位址线分隔,上盖层包含以透明导电材料形成的前位址线及磷层,下垫层包含一或多个介质层,以及电极图型由许多的透明导电材料的平平间隔的位址线所构成。94.如申请专利范围第93项之程序,其中介质层的一部分直接烧蚀,而磷及透明导电材料则间接烧蚀而贯穿其厚度。95.如申请专利范围第94项之程序,其中透明导电材料是氧化铟锡。96.如申请专利范围第95项之程序,其中介质层包含:一平面层由一种烧结的陶瓷材料形成,使介质层提供约大于1.0106V/m的介质强度及使介质材料对磷的介质常数之比値约大于50:1,介质层的厚度使得介质层对磷层的厚度比値是约在20:1到500:1的范围内,而此介质层具有邻接磷层的表面,十分平滑,使磷层在既定激励电压下整体均匀地发光。97.如申请专利范围第96项之程序,其中介质层至少形成二层,一第1介质层形成于后位址线上,且具有约大于500的介质常数,及约在10到300微米范围内的厚度,而一第2介质层形成于第1介质层上,且具有如申请专利范围第86项所述之邻接于磷层的表面,第1及第2介质层具有约10到300微米的组合厚度。98.如申请专利范围第97项之程序,其中第1及第2介质层是由具有钙钛矿结晶构造的铁电陶瓷材料形成,其中第1介质层提供至少1000的介质常数且具有约20-150微米的厚度,且其中第2介质层提供至少100的介电常数并具有约2-10微米的厚度。99.如申请专利范围第98项之程序,其中第1介质层是以滤网印刷并且烧结厚膜介质糊形成,而第2介质层是以溶凝胶技术后再用烧结法形成。100.如申请专利范围第99项之程序,其中第1介质层是由铌酸铅形成,而其中第2介质层是由锆酸钛酸铅或锆酸钛酸铅镧形成。101.一种形成电发光叠片之程序,叠片具有一磷层夹在一交叉的前后位址线之间,后位址线形成于一后基体上,而磷层以一或多个介质层与后位址线分隔并可选择性与前位址线分隔,包含下列步骤:(a)在基体上形成后位址线此基体上,基体具有充分的硬度以支撑叠片;(b)在后位址线上形成一介质层;(c)在介质层上形成磷层;(d)选择性地在磷层上形成一透明介质层;然后(e)以沉积一层透明导电材料于下垫层上而在下面磷层或透明介质层上形成前位址线,并且在其中以聚焦的雷射光束刻划位址线,该雷射光束的波长实质上不被该透明导电材料、透明介质层及磷层吸收,但由下介质层吸收,使得下介质层的一部分直接地由雷射光束烧蚀,而上磷层、选择性的透明介质层及透明导电材料则间接地烧蚀而贯穿其等之厚度。102.如申请专利范围第101项之程序,其中雷射光束具有约大于400nm的波长。103.如申请专利范围第102项之程序,其中各层的组成及厚度成为:T>T其中:=下介质层的吸收系数=透明层的吸收系数T=下介质层的厚度T=透明层的厚度。104.如申请专利范围第103项之程序,其中透明导电材料是氧化铟锡。105.如申请专利范围第104项之程序,其中在磷层下面的介质层包含:一平面层由一烧结的陶瓷材料形成,使介质层的介质强度约大于1.0106V/m并使介质材料对磷的介质常数之比値约大于50:1,介质层的厚度使介质层对磷层的厚度比値约在20:1到500:1的范围内,而介质层具有邻接于磷层的表面,十分平滑,使磷层在既定激励电压下整体均匀地发光。106.如申请专利范围第105项之程序,其中介质层至少形成二层,一第1介质层形成于后电极上且具有约大于500的介质常数,厚度约在10到300微米的范围内,以及一第2介质层形成于第1介质层上且具有如申请专利范围第105项所述之邻接于磷层的表面,第1及第2介质层具有约10到300微米的组合厚度。107.如申请专利范围第106项之程序,其中第1及第2介质层由具有钙钛矿结晶构造的铁电陶瓷材料形成,其中第1介质层提供至少1000的介质常数,且具有约20-150微米的厚度,且其中第2介质层提供至少100的介电常数且具有约2-10微米的厚度。108.如申请专利范围第107项之程序,其中第1介质层是以滤网印刷且烧结一厚膜介质糊形成,而第2介质层是以溶凝胶技术再用烧结法形成。109.如申请专利范围第108项之程序,其中第1介质层是由铌酸铅形成,而第2介质层是由锆酸钛酸铅或锆酸钛酸铅镧形成。110.一种电发光叠片,包含:一后基体;一组在后基体上平行间隔的后位址线;一在后位址线上的介质层;一在介质层上的磷层;一在磷层上的选择性透明介质层;一组在磷层上面平行间隔的透明前位址线,该前位址线与后位址线交叉而在交叉处形成像素,该前位址线以雷射刻划的槽分隔,该槽延伸穿过在其下面的磷层且进入,但不穿过,下面的介质层。111.如申请专利范围第110项之电发光叠片,其中在后位址线上的介质层包含:一平面层由一种烧结的陶瓷材料形成,使介质层提供约大于1.0106V/m的介质强度及使介质材料对磷的介质常数之比値约大于50:1,介质层的厚度使介质层对磷层的厚度比値约在20:1到500:1的范围内,而介质层具有邻接磷层的表面,十分平滑,使磷层在既定激励电压下整体均匀地发光。112.如申请专利范围第111项之电发光叠片,其中介质层至少形成二层,一第1介质层形成于后电极上且具有约大于500的介质常数及约10到300微米范围内的厚度,以及一第2介质层形成于第1介质层上且具有如申请专利范围第105项所述之邻接于磷层的表面,第1及第2介质层具有约10到300微米的组合厚度。113.如申请专利范围第112项之电发光叠片,其中第1及第2介质层是由具有钙钛矿结晶构造的铁电陶瓷材料形成,其中第1介质层提供至少1000的介质常数且具有约20-150微米的厚度,且其中第2介质层提供至少100的介电常数且具有约2-10微米的厚度。114.如申请专利范围第113项之电发光叠片,其中第1介质层是以滤网印刷及烧结一厚膜介质糊形成,而第2介质层是以溶凝胶技术再用烧结法形成。115.如申请专利范围第114项之电发光叠片,其中第1介质层是由铌酸铅形成,而其中第2介质层是由锆酸钛酸铅或锆酸钛酸铅镧形成。116.如申请专利范围第110项之电发光叠片,其中介质层与磷层接触贴合。图示简单说明:第一图是包括本发明两层介质的叠片构造的示意横断面图;第二图是第一图叠片构造的俯视图;第三图是沿着行电极显示连接行列电极位址线到电压驱动电路的电压驱动组件详细实施例之叠片构造的示意横断面图;第四图是具有用于位址线的电气接线到驱动电路的电压驱动组件的通孔详细图型之后基体的俯视图;第五图是印制在后基体后侧上的详细驱动电路图型的俯视图;第六图是印制在后基体前侧上之列电极及行衬垫的俯视图;第七图是较佳地印制在第五图驱动电路图型上的电路衬垫强化图型的俯视图;第八图是较佳地印制在第五及七图之上的驱动电路图型及电路衬垫强化图型的密封玻璃图型之俯视图;第九图是行电极线图型的俯视图;及第十图是第九图行线及第六图行衬垫间所印制电气接线的俯视图。 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