| 主权项 |
1.一种光学记录介质包括一具有预设沟纹的基板,及一金属记录薄膜,一缓冲层与一反射层依序堆积于该基板上,其中该缓冲层系由一种或多种颜料所形成,该等颜料波长在在650nm时具有的折射指标(n)为1.4或以上,吸收系数(k)为1.6或以上,而波长在780nm时具有的折射指标(n)为1.8或以上,吸收系数(k)为0.001或以上。2.如申请专利范围第1项之光学记录介质,其中所述颜料的分解温度为80-250℃。3.如申请专利范围第1项之光学记录介质,其中所述缓冲层的厚度,在对应于该基板的预设沟纹领域所测得者,在50-200nm之范围间。4.如申请专利范围第1项之光学记录介质,其中所述缓冲层的厚度,在对应于该基板的预设沟纹领域所测得者,在85-105nm之范围间。5.如申请专利范围第1项之光学记录介质,其中所述缓冲层更包含一有机聚合物。6.如申请专利范围第5项之光学记录介质,其中所述有机聚合物的含量占该缓冲层全重量的30%(重量比)。7.如申请专利范围第5或6项之光学记录介质,其中所述有机聚合物至少选自下揭一群树脂中之一种,即乙烯醇树脂,醋酸乙烯脂树脂,丙烯酸盐树脂,聚酯树脂,聚醚树脂,聚苯乙烯树脂,聚亚胺酯树脂,纤维素树脂,及脂肪酸树脂。8.如申请专利范围第1或2项之光学记录介质,其中所述颜料至少选自下揭一群颜料中之一种,即,二烷,三苯酯二,菲,花青,花青,部花青,喃金羊,黄嘌呤,三苯甲烷,拜耳酸康尼姆,偶氮蓝靛,次甲基,甘菊环,Squarium,硫化物及甲代烯丙基二硫醇化合物。9.如申请专利范围第1或5项之光学记录介质,其中所述缓冲层更包含一添加物,其分解或升华温度为100-200℃,而在分解时其重量迅速减小者。10.如申请专利范围第9项之光学记录介质,其中所述添加物具有的重量减小率为该添加物正常重量为基准的20%(重量比),该重量减小率系在高于该添加物分解温度50℃时所测得者。11.如申请专利范围第9项之光学记录介质,其中如使用于该缓冲层之颜料在当分解时因取入记录光或该金属记录薄膜上因辐照记录光而产生之热而予吸收时即使用该分解时发射热之添加物。12.如申请专利范围第11项之光学记录介质,其中所述分解时发射热之添加物至少选自一群含有偶氮化合物,过氧化物,及其衍生物等化合物中之一种。13.如申请专利范围第12项之光学记录介质,其中所述偶氮化合物为2,2'-偶氮二异丁(AIBN)。14.如申请专利范围第12项之光学记录介质,其中所述过氧化化合物为dicumilperoxide。15.如申请专利范围第9项之光学记录介质,其中如使用于该缓冲属之颜料在当分解时因吸收记录光或该金属记录薄膜上因辐照记录光所产生之热而予发射时即使用该分解时吸收热之添加物。16.如申请专利范围第15项之光学记录介质,其中分解时可吸收热之添加物至少选自下揭一群包含茂金属,四乙基铅复合体,及其衍生物中之一种,其中茂金属系由化学式M(C5H5)2表示者,M为钛(Ti),钒(V),铬(Cr),铁(Fe),钴(Co),镍(Ni),钌(Ru),锇(Os)或钯(Pd)。17.如申请专利范围第16项之光学记录介质,其中所述茂金属为二茂络铁及其衍生物。18.如申请专利范围第9项之光学记录介质,其中所述添加物之含量占该缓冲层全重量的1-20%(重量比)。19.如申请专利范围第9项之光学记录介质,其中所述添加物至少选自下揭一群含有以化学式M(C5H5)2的茂金属中之一种,其中M为钛(Ti),钒(V),铬(Cr),铁(Fe),钴(Co),镍(Ni),钌(Ru),锇(Os)或钯(Pd),四乙基铅复合体,过氧化物,偶氮化合物及其衍生物。20.如申请专利范围第1项之光学记录介质,其中所述基板的预设沟纹具有深度为100-300nm,在底面宽度为100-350nm,及中间宽度为200-550nm。21.如申请专利范围第20项之光学记录介质,其中所述基板的预设沟纹具有深度为230-260nm,在底面宽度为250-260nm,及中间宽度为410-480nm。22.如申请专利范围第1项之光学记录介质,其中所述基板的预设沟纹具有〝U〞字形状。23.如申请专利范围第1项之光学记录介质,其中所述光学记录介质在波长630-790nm时有相共存的再生性。24.如申请专利范围第1或23项之光学记录介质,其中所述光学记录介质在波长770-790nm时的反射率为60%或以上,及在短波630-660nm时的反射率为30%或以上。25.如申请专利范围第1项之光学记录介质,更包括一保护层于该反射层上。26.一种光学记录介质包括一具有预设沟纹的基板,及一金属记录薄膜,一缓冲层与一反射层依序堆积于该基板上,其中该缓冲层包含一种或以上的颜料,该颜料在波长650nm时具有的折射指标(n)为1.4或以上吸收系数(k)为1.6或以上,及在波长780nm时具有的折射指标(n)为1.8或以上与吸收系数(k)0.001或以上,及一添加物其分解或升华温度为100-200℃;其中该添加物的重量减小率在高于该添加物分解或升华温度50℃时所测得者为该添加物正常重量的20%(重量比),及有50-200nm的厚度于对应于该基板预设沟纹的领域。图式简单说明:第一图为本发明第1实施例之光碟与记录再生原理之说明图;第二图表示随第一图之光碟缓冲层厚度而改变之反射率曲线图;第三图A与第三图B表示形成本发明光碟之缓冲层时所用添加物之热学分析与重量减少结果之曲线图;第四图为表示本发明一实施例中随一光碟记录功率而改变之载波对噪音比(CNR)曲线图;及第五图为表示随本发明与另一传统光碟(颜料CD-R)再生光波长而改变之反射率。 |
