| 发明名称 | 一种三维功率VDMOS器件及其集成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种三维功率VDMOS器件及其集成方法，它包括功率单元和芯片层，所述芯片层有二个以上，每个芯片层上均匀分布有二个以上的功率单元，每个功率单元外围设置有独立的终端，每个功率单元外围设置有层间导电互连的TSV通孔，各个芯片层堆叠在一起形成三维功率VDMOS器件；解决了VDMOS器件采用平面集成工艺存在的器件面积随着电流容量增大而增大，严重影响功率系统的集成度，同时信号延迟时间及互连线功耗比重也将越来越大等技术问题。 | ||
| 申请公布号 | CN106098687A | 申请公布日期 | 2016.11.09 |
| 申请号 | CN201610624812.2 | 申请日期 | 2016.08.03 |
| 申请人 | 贵州大学 | 发明人 | 林洁馨;傅兴华;马奎;杨发顺 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人 | 吴无惧 |
| 主权项 | 一种三维功率VDMOS器件，它包括功率单元和芯片层，其特征在于：所述芯片层有二个以上，每个芯片层上均匀分布有二个以上的功率单元，每个功率单元外围设置有独立的终端，每个功率单元外围设置有层间导电互连的TSV通孔，各个芯片层堆叠在一起形成三维功率VDMOS器件。 | ||
| 地址 | 550025 贵州省贵阳市贵州大学花溪北校区科技处 | ||