发明名称 讯号解码装置及其方法
摘要 本发明揭露一种讯号解码装置及其方法。本发明系利用记忆储存装置、写入位址产生器以及读取位址产生器来完成校准后Cl码至C2码之解交错码。写入位址产生器系产生将校准后Cl码写入至该记忆储存装置之写入位址。读取位址产生器系产生将C2码从该记忆储存装置读取出之读取位址。
申请公布号 TW424227 申请公布日期 2001.03.01
申请号 TW088105564 申请日期 1999.04.08
申请人 威盛电子股份有限公司 发明人 苏韦名;陈式榕
分类号 G11B20/00 主分类号 G11B20/00
代理机构 代理人 林素华 台北巿忠孝东路六段三一二号三楼
主权项 1.一种讯号解码装置,用于光碟片资料之解交错码中,该装置包括:一输入信号;一输出信号;一记忆装置,用以储存该输入信号,并输出该输出信号;一写入位址产生器,用以产生将该输入信号写入至该记忆装置之一写入位址;以及一读取位址产生器,用以产生从该记忆装置读取出该输出信号之一读取位址。2.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该输入信号为具有28位元组之校准后C1码。3.如申请专利范围第2项所述之装置,其中该输出信号为具有28位元组之C2码。4.如申请专利范围第3项所述之装置,其中该记忆装置为一阵列形式之记忆装置。5.如申请专利范围第4项所述之装置,其中该记忆装置为4K之静态随机存取记忆体。6.如申请专利范围第5项所述之装置,其中该写入位址表示式如下:A1=(I-D)*28-1+K;其中,A1为该记忆装置之一写入位址、I为该记忆装置之一数据框序数,D为该记忆装置之一列差额参数,以及K为该记忆装置之一数据组序数。7.如申请专利范围第6项所述之装置,其中该读取位址表示式如下:A2=I*28-1;其中,A2为该记忆装置之一读取位址。8.一种讯号解码方法,用于光碟片资料之解交错码,该方法系将一输入信号解码成一输出信号,该输入信号与该输出信号分别包括复数位元组,该方法包括:选择一第一参数、一第二参数以及一第三参数之起始値;根据该第一参数、该第二参数以及该第三参数产生该输入信号之该些位元组之各写入位址并写入至一记忆装置;对该第一参数、该第二参数以及该第三参数进行设定;重覆该写入步骤;选择一第四参数之起始値;根据该第四参数得到一读取位址;在该读取位址被写入同时,将相关于该读取位址之复数个位址读取出,得到该输出信号;对该第四参数进行设定;以及重覆该读取步骤。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该输入信号为具有28个位元组之校准后C1码。10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该输出信号为具有28个位元组之C2码。11.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该记忆装置为一阵列形式之记忆装置。12.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该记忆装置为一4K之静态随机存取记忆体。13.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该第一参数系一数据框序数I,其起始値为108。14.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该第二参数系一列差额参数D,其起始値为0。15.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该第三参数系一数据组序数K,其起始値为0。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该产生写入位址之步骤包括:得到该输入信号之第K位元组之该写入位址A1表示如下:A1=(I-D)*28-1+K;令D=D+4,K=K+1;以及K<28时,重覆该得到写入位址A1之步骤。17.如申请专利范围第8项所述之方法,其中对该第一参数、该第二参数以及该第三参数进行设定之步骤包括:令I=I+1,D=0,K=0。18.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该第四参数系一数据框序数I,其起始値为109。19.如申请专利范围第8项所述之方法,其中产生该读取位址之步骤包括:令该读取位址A2之表示如下:A2=I*28-1。20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中该读取步骤包括:将该读取位址A2至A2-27内之资料读取出当成该输出信号。21.如申请专利范围第18项所述之方法,其中对该第四参数进行设定之步骤包括:令I=I+1。22.一种信号存取方法,用以依序对一记忆装置进行存取信号,该方法包括:选择一第一参数之起始値;根据该第一参数产生一输入信号之写入位址并写入至该记忆装置;对该第一参数进行设定;重覆该写入步骤;选择一第二参数之起始値;根据该第二参数得到一读取位址;在该读取位址被写入同时,将相关于该读取位址之复数个位址读取,得到一输出信号;对该第二参数进行设定;以及重覆该根据该第二参数得到一读取位址之步骤。23.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该输入信号为具有28个位元组之校准后C1码。24.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该输出信号为具有28个位元组之C2码。25.如申请专利范围第23项所述之方法,更包括选择一第三参数以及一第四参数之起始値之步骤。26.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该第一参数系一数据框序数I,其起始値为108。27.如申请专利范围第25项所述之方法,其中该第三参数系一列差额参数D,其起始値为0。28.如申请专利范围第25项所述之方法,其中该第四参数系一数据组序数K,其起始値为0。29.如申请专利范围第28项所述之方法,其中该产生写入位址之步骤包括:得到该输入信号之第K位元组之该写入位址A1表示如下:A1=(I-D)*28-1+K;令D=D+4,K=K+1;以及K<28时,重覆该得到写入位址A1之步骤。30.如申请专利范围第29项所述之方法,更包括对该第三参数以及该第四参数进行设定之步骤。31.如申请专利范围第30项所述之方法,其中对该第一参数、该第三参数以及该第四参数进行设定之步骤包括:令I=I+1,D=0,K=0。32.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该第二参数系一数据框序数I,其起始値为109。33.如申请专利范围第32项所述之方法,其中产生该读取位址之步骤包括:令该读取位址A2之表示如下:A2=I*28-1。34.如申请专利范围第33项所述之方法,其中该读取步骤包括:将该读取位址A2至A2-27内之资料读取出当成该输出信号。35.如申请专利范围第32项所述之方法,其中对该第二参数进行设定之步骤包括:令I=I+1。图式简单说明:第一图绘示乃习知之解交错码装置之方块图。第二图绘示乃本发明较佳实施例之解交错码装置之方块图。第三图绘示乃本发明较佳实施例所应用之记忆装置之位址分配图。第四图绘示乃本发明较佳实施例之写入位址产生流程图。第五图绘示乃本发明较佳实施例之读取位址产生流程图。
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