基板处理装置及反应容器

摘要

本发明涉及基板处理装置及反应容器，在反应管6内设置了缓冲室17，该缓冲室17拥有同一开口面积的缓冲室孔3；在其内部配置了气嘴2，该气嘴2拥有从气体的上游一侧到下游一侧开口面积逐渐变大的气嘴孔4；将由气嘴2喷出的气体暂时输入缓冲室17，使气体的流速均匀之后，由缓冲室孔3提供给晶片7。

主权项

1、一种基板处理装置，其特征在于包括：收容多层配置的基板的反应室、气体导入部、以及缓冲室；上述气体导入部沿上述基板的多层配置方向设置，将用于处理基板的气体导入上述缓冲室；上述缓冲室具有沿上述基板多层配置方向设置的多个供气口，将从上述气体导入部输入的上述处理用气体由上述多个供气口提供给上述反应室。