| 主权项 |
1.一种矽晶圆,是掺杂了硼及氮之矽晶圆,其特征为:从该矽晶圆之表面而至少0.2m之深度为止之表面层之硼浓度系体部之硼浓度之1/2以下。上述表面层之0.09m大小以上之缺陷密度系1.0104个/cm3以下,且氧气析出热处理后之上述体部之内部微小缺陷密度为1108~21010个/cm2者。2.如申请专利范围第1项所述之矽晶圆,其中上述矽晶圆之氮浓度系11010~51015个/cm3者。3.如申请专利范围第1项或第2项所述之矽晶圆,其中上述矽晶圆之体部之硼浓度系11017个/cm3以上者。4.一种矽晶圆之制造方法,其特征为:育成以切克劳斯基法(Czochralski method)来掺杂了氮及硼之矽单晶棒,使掺杂于该单晶棒之氮浓度定为11010~51015个/cm3,而将该单晶棒予以切片加工成为矽晶圆之后,对于该矽晶圆,在于含有氢气之环境中施以热处理温度为1100℃以上的热处理而将晶圆表面之硼扩散于外方。5.如申请专利范围第4项所述之矽晶圆之制造方法,其中当育成以切克劳斯基法来掺杂氮及硼之矽单晶棒时,令掺杂于该单晶棒之硼浓度定为11017个/cm3者。6.如申请专利范围第4或5项所述之矽晶圆之制造方法,其中上述含有氢之环境系氢100%之环境。图式简单说明:第1图乃,在于氮杂了硼之晶圆中,比较了有无退火,有无氮掺杂之条件之下之晶圆表层部之缺陷密度之图。第2图乃在于掺杂了硼之晶圆中,比较有无氮之掺杂之下TZDB特性之图。 |
