发明名称 具有较高之对比率的液晶显示装置
摘要 一种平面内切换模式液晶显示装置,包括一屏罩共用电极,其具有从一汲线之侧边突出的一突出部、及一对遮光膜,其被汲线包夹在之间且具有重叠于该突出部的一重叠部。该屏罩共用电极系阻挡来自汲线的电场,且该遮光膜系提高液晶显示装置之对比率。
申请公布号 TWI242087 申请公布日期 2005.10.21
申请号 TW093111591 申请日期 2004.04.26
申请人 NEC液晶科技股份有限公司 发明人 廉谷勉;野上佑辅
分类号 G02F1/133 主分类号 G02F1/133
代理机构 代理人 周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼
主权项 1.一种液晶显示(LCD)装置,包含第一与第二基板及被包夹在该第一基板与该第二基板之间的一液晶(LC)层,其中在该第一基板之上安装有:复数之闸线与复数之共用线,其延伸成彼此互相平行;一第一绝缘膜,覆盖该等闸线与该等共用线;复数之汲线,延伸成正交于该等闸线与该等共用线,俾定义出复数之像素;一第二绝缘膜,覆盖该等汲线与该第一绝缘膜;一共用电极与一像素电极,在每一个像素中延伸成彼此互相平行,俾能对该LC层施加一平行于该第一基板的一电场,该共用电极系由一透明材料所构成,而从正交于该第一基板之方向观察时,该共用电极系具有突出于该汲线之两边的一突出部;及一遮光膜,沿着由该等共用线的其中两条所定义之至少一区域中的该共用电极而延伸,且从正交于该第一基板之方向观察时,该遮光膜具有重叠于该共用电极之该突出部的至少一局部之一重叠部,且电连于该共用电极。2.如申请专利范围第1项之液晶显示(LCD)装置,其中一对之该遮光膜之间包夹该汲线,且不会突出于该共用电极之侧边。3.如申请专利范围第1项之液晶显示(LCD)装置,其中一对之该遮光膜之间系包夹该汲线,且突出于该共用电极之侧边。4.如申请专利范围第1项之液晶显示(LCD)装置,其中从正交于该第一基板之方向观察时,该遮光膜系突出于该汲线之侧边,且不会突出于该共用电极之侧边。5.如申请专利范围第1项之液晶显示(LCD)装置,其中将该遮光膜配置在比该汲线更远离该LC层处。6.如申请专利范围第1项之液晶显示(LCD)装置,其中使该共用电极形成在含有该像素电极之一对应部的一共用层之中,且将该共用层配置在比该遮光膜与该汲线更靠近该LC层处。7.如申请专利范围第6项之液晶显示(LCD)装置,其中该像素电极系具有形成在含有该汲线的另一共用层之中的另一局部,且将该另一共用层配置在比该遮光膜更靠近该LC层处。图式简单说明:图1为本发明之第一实施例的液晶显示装置的平面上视图。图2为沿着图1之剖面线II-II所形成之剖面图。图3显示入射在图2之结构上的光线。图4图示本发明与习知技术之液晶显示装置的串扰与背景之灰阶标度之间的关系。图5为第一实施例之液晶显示装置的变化型式之液晶显示装置的剖面图。图6为第一实施例之液晶显示装置的另一变化型式之液晶显示装置的平面上视图。图7为本发明之第二实施例的液晶显示装置之平面上视图。图8为沿着图7之剖面线VIII-VIII所形成之剖面图。图9为本发明之第三实施例的液晶显示装置之平面上视图。图10为沿着图9之剖面线X-X所形成之剖面图。图11为习知液晶显示装置的平面上视图。图12为沿着图11之剖面线XII-XII所形成之剖面图。图13显示图12之结构中的电场。图14显示习知液晶显示装置之对比率与突出长度及串扰与突出长度之间的关系图。图15为图12之变化型式的液晶显示装置之剖面图。图16为列出本实施例之液晶显示装置与习知液晶显示装置中的各参数之估计値与计算値的表格。图17A为列出个别区域之参数値而用以计算出图16之参数的表格,及图17B为定义出图17A之各区域的剖面图。图18A为列出藉由在TFT基板设置遮光线后、估计所提高之汲线的寄生电容的表格,及图18B与图18C为用以达到所增加之电容値的结构之剖面图。
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