| 发明名称 |
UN PROCEDIMIENTO Y SU CORRESPONDIENTE SISTEMA PARA PRODUCIR SILICIO DE CALIDAD SOLAR, ALTA PUREZA Y BAJO COSTE. |
| 摘要 |
<p>The crucible according to the present invention for forming single or quasi-single crystal silicon ingots comprises a bottom wall and said walls such as to form a parallelepiped, preferably a right rectangular prism.</p> |
| 申请公布号 |
ES528415(D0) |
申请公布日期 |
1985.12.01 |
| 申请号 |
ES19830528415 |
申请日期 |
1983.12.26 |
| 申请人 |
SRI INTERNATIONAL |
发明人 |
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| 分类号 |
C01B33/02;C01B33/03;C01B33/033;C30B11/00;C30B29/06;H01L21/205;H01L31/04;(IPC1-7):C01B33/02;H01L31/18 |
主分类号 |
C01B33/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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