| 摘要 |
본 발명은 유리 기판 등 내열 온도가 낮은 기판을 사용하는 경우에도, 실용에 견딜 수 있는 단결정 반도체층을 구비한 반도체 기판의 제작 방법을 제공한다.단결정 반도체 기판 위에 산화막을 형성하고, 산화막을 사이에 두고, 반도체 기판에 가속된 이온을 도입함으로써, 반도체 기판 중에 취화 영역을 형성하고, 산화막을 사이에 끼워, 단결정 반도체 기판과 대향하도록 지지 기판을 접합하고, 단결정 반도체 기판을 가열함으로써, 취화 영역에 있어서 단결정 반도체층이 접합된 지지 기판과 단결정 반도체 기판의 일부로 분리하여, 지지 기판에 접합된 단결정 반도체층의 표면에 대하여, 기판 바이어스를 인가하여 제 1 에칭을 행하고, 단결정 반도체층에 대하여 레이저 빔을 조사하고, 단결정 반도체층의 적어도 표면의 일부를 용융한 후, 응고시켜 단결정 반도체층의 표면에 대하여 기판 바이어스를 인가하지 않고 제 2 에칭을 행한다. |
