发明名称 密着型图像察觉器
摘要 本创作系一种密着型图像察觉器,其主要将挟持透明基板而具有薄膜发光元件之照明部与具有薄膜感光元件之察觉器部予以相对而配置,该薄膜发光元件乃备有正极、正孔传导性薄膜、电子传导性有机萤光薄膜以及负极,而为一所谓的有机薄膜EL元件。该有机薄膜EL元件由于可藉低电压的直流而驱动,因此可减少照明光之强度变动,而可大幅提升读取的正确性。又上述薄膜发光元件可藉低消耗电力而动作,更可促进察觉器的薄型化。
申请公布号 TW176420 申请公布日期 1992.01.01
申请号 TW080205956 申请日期 1990.10.02
申请人 东芝股份有限公司 发明人 二阶堂胜;中村弘喜
分类号 G01J3/12;G02F1/12 主分类号 G01J3/12
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.一种密着型图像察觉器,其主要特征系包括:光学 性透 明的基板,具有设于上述透明基板之一面上之直流 驱动薄 膜疑光元件的照明部,而上述直流驱动薄膜疑光元 件至少 具备光学性透明的陪极、形成在该阴极上之正孔 传导性薄 膜、形成在该正孔传等性薄膜之电子传导性有机 萤光薄膜 及形成在该电子传导性有机萤光薄膜之负极;而在 上述直 淡驱动疑光元件之周围被覆有保护层,而在上述透 明基板 之另一面则设有薄膜感光元件。2.如申请专利范 围第1项所述之密着型图像察觉器,上述 正孔传导性薄膜系正孔传导性有机薄膜。3.如申 请专利范围第1项所述之密着型图像察觉器,上述 正孔传导性薄膜系P型的无机半导体薄膜。4.如申 请专利范图第1项所述之密着型图像察觉器,其中 上述薄膜感光元件乃具备共通电极、感光材料层 以及作为 个别电极之透明电极。5.如申请专利范围第4项所 述之密着型图像察觉器,上述 薄膜疑光元件之中心疑光波长为520mm-620mm。6.如申 请专利范围第5项所述之密着型图像察觉器,上述 电子传导性有机萤光薄膜乃具有三个(8-羟基 )铝, 且 感光材料层具有非晶矽。7.如申请专利范围第1项 所述之密着型图像察觉器,上述
地址 日本国神奈川县川崎巿幸区堀川町七二番地