| 摘要 |
광전변환막을 포함하는 화소가 복수 배열되어 있음과 함께, 화소분리부가 상기 복수 화소의 사이에 개재하여 있는 화소 영역을 구비하고, 상기 광전변환막은, 구리-알루미늄-갈륨-인듐-유황-셀렌계 혼정 또는 구리-알루미늄-갈륨-인듐-아연-유황-셀렌계 혼정으로 이루어지는 칼코파이라이트 구조의 화합물 반도체로서, 실리콘 기판상에서 당해 실리콘 기판에 격자정합하도록 형성되어 있고, 상기 화소분리부는, 상기 복수의 화소에 대응하여 형성된 상기 광전변환막의 사이에서 포텐셜 장벽이 되도록, 도핑의 농도 제어 또는 조성 제어가 된 화합물 반도체에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치. |
