| 主权项 |
1. 一种监视核子辐射之方法,包含: 提供一金刚石辐射感测元件,其氮杂质浓度系低于 150ppm ; 使此感测元件接受核子照射; 以一第一选定之波长或波长范围之光激励该感测 元件;及 监视从该感测元件来而具有一第二不同之波长或 波长范围 所造成之光放射。2. 如申请专利范围第1项之方法 ,包括激励该感测元件, 及经由一共用之光导管监视从该感测元件来之所 造成之光 放射。3. 如申请专利范围第2项之方法,其中该共 用光导管系一 光纤,该感测元件系位于该光纤之第一端,该激励 光系加 于该光纤之第二端,所得之光放射亦系在光纤之第 二端被 监视。4. 如申请专利范围第3项之方法,其中该光 纤之第二端有 一输入部分及一输出部分,该激励光系加于输入部 分,所 得之光放射系通过输出部分加以监视。5. 如申请 专利范围第4项之方法,其中所得之光放射系通 过一光滤波器,此光滤波器系选来使与希望获致之 光放射 之光谱范围相当之一预定光谱范围内之光通过。6 . 如申请专利范围第5项之方法,其中该过滤后之所 得光 放射系由光电倍增装置放大,以产生一与该光放射 之强度 相当之电子信号,此电子信号系经处理,以取得入 射于该 感测器上之辐射强度之指示。7. 如申请专利范围 第1项之方法,其中该感测元件系装入 于一插入病人体内之第一针或导管。8. 如申请专 利范围第7项之方法,其中至少有一个核子辐 射源元件装入于一第二针或导管,此第二针或导管 系插入 病人体内且与第一针或导管相邻。9. 如申请专利 范围第1项之方法,其中该感测元件系放置 在接受核子辐射之物体上面,或者依附于该物体。 10. 如申请专利范围第1项之方法,包括有步骤,依照 预 定之标准,因应所监视到之来自感测元件之光放射 ,将所 加之核子辐射之期间、强度或施加位置加以调节 。11. 如申请专利范围第10项之方法,包括将至少一 个辐射 源元件之位置对该感测元件加以调整,以产生所希 望之总 辐射剂量及剂量型态。12. 一种用以监视核子辐射 之感测器,含有: 一金刚石辐射感测元件,其选定之氮杂质浓度低于 150ppm ;及 一光导管,适于附在该感测元件上或固定在其附近 ,该光 导管有一输入部分可馈以一第一选定波长或波长 范围之光 ,以激励该感测元件,以及一输出部分可将具有一 第二不 同波长或波长范围之结果所得之光放射从感测元 件引导至 该监视装置。13. 如申请专利范围第12项之一种感 测器,其中该光导管 系一光纤,其第一端系固定在感测元件上之一接触 点或特 定在其附近,其第二端系叉分为二,以划定该感测 器之输 入和输出部分。14. 如申请专利范围第13项之一种 感测器,其中该感测元 件系利用黏剂固定在该光纤之第一端。15. 如申请 专利范围第13项之一种感测器,其中该感测元 件及该光纤之第一端系由机械夹装置保持接触。 16. 一种用以监视核子辐射之感测器,含有: 一种金刚石辐射感测元件,选定其氮杂质浓度小于 150ppm ; 一不透光而界定一腔之外壳,腔中支持着该感测元 件; 一探针,可与外壳中之腔相接,并包括至少一光导 管,其 输入部分可馈以一第一选定波长或波长范围之光, 以激励 该感测元件,及其输出部分可引导具有一第二不同 波长或 波长范围之结果所得之光放射从感测器元件导至 监视装置 ;及 滤波装置,其被配置成将该感测器所发射的光通过 至该监 视装置而拒绝该激励光。17. 如申请专利范围第16 项之一种感测器,其中该探针支 撑至少第一光纤,其一输入部分可馈以选定波长或 波长范 围之光,其一输出部分用以引导光至感测元件上并 将之激 励;及第二光纤之输入部分用以从感测元件接收所 造成之 光放射,及输出部分用以引导该光放射至监视装置 。18. 如申请专利范围第17项之一种感测器,其中该 探针含 一管状体,该第二光纤系轴向设于其中,及多个第 一光纤 设在第二光纤附近并与之平行,以便从第一光纤之 输出部 分来之光系导至使用中之感测元件之外面区域,及 来自感 测元件内边区域之光放射系由使用中之第二光纤 之输入部 分所接收。19. 如申请专利范围第17项之一种感测 器,其中该不透光 外壳之腔系以一薄膜封闭,于该探针与该腔相接时 ,该膜 可由探针之针尖穿破。20. 如申请专利范围第17项 之一种感测器,其中该不透光 之外壳包括有扣定装置,用以将该外壳固定于一表 面。21. 如申请专利范围第12项之一种感测器,其中 该金刚石 感测元件系选定,使氮杂质浓度在10和150ppm之间。 22. 如申请专利范围第21项之一种感测器,其中该感 测元 件系经选定,使氮杂质浓度在10和60ppm之间。23. 如 申请专利范围第21项之一种感测器,其中该感测元 件系经选定,使硼浓度在0.1至10ppm之范围。24. 如申 请专利范围第16项之一种感测器,其中该金刚石 感测元件系予选定,使氮杂质浓度在10和150ppm之间 。25. 如申请专利范围第24项之一种感测器,其中该 感测元 件系予选定,使氮杂质浓度在10和60ppm之间。26. 如 申请专利范围第24项之一种感测器,其中该感测元 件系予选定,使硼浓度在0.1和10ppm之间。27. 用以监 视核子辐射之装置,含一依申请专利范围第12 项或16项感测器,一光源用以产生选定波长或波长 范围之 光,以及监视装置用以从该感测器接收结果所得之 光发射 。28. 如申请专利范围第27项之装置,其中该光源提 供紫外 线区或近紫外线区之强度输出。29. 如申请专利范 围第28项之装置,其中该光源系一水银 灯,一发光二极体,或一雷射装置。30. 如申请专利 范围第27项之装置,其中该监视装置系由 一光电倍增装置所构作。31. 如申请专利范围第30 项之装置,其中该光电倍增装置 系设有一过滤器,经选择以通过与来自感测元件所 希望得 到之光放射之光谱范围相当之一预定光谱范围内 之光及拒 绝光源之光。32. 如申请专利范围第31项之装置,其 中该过滤器系选定 来通过波长在420和550nm之间之光。33. 如申请专利 范围第32项之装置,其中该滤波器系选来 通过波长在516和536nm间之光。34. 如申请专利范围 第27项之装置,其中该监视装置包含 有放大器装置用于放大光电倍增装置之输出,及处 理装置 用以取得入射于感测元件上之辐射强度之一指示 。图示简单说明: 第1a,1b及1c图为依据本发明之装置之一实施例之示 意显 示; 第2图为另一实施例之示意显示;及 第3,4及5图为曲线图,例示本发明之辐射感测元件 之响 |
