| 主权项 |
1.一种在金属层间介电层中形成介层窗的方法,系包括以下步骤:a.在主动元件区之上形成金属层;b.利用微影和蚀刻技术,制作出金属内连线;c.覆盖一层介电层于所述金属内连线上;d.利用微影技术定义出介层窗(Via)的位置;e.利用磁场加强式反应离子蚀刻技术,对所述介层窗内的介电层进行蚀刻,制作出介层窗;f.利用高密度离子体蚀刻技术进行蚀刻,去除光阻和有机聚合物;g.在酸液中进行湿蚀刻,将残余的有机聚合物去除乾净。2.如申请专利范围第1项之在金属层间介电层中形成介层窗的方法,其中所述介电层为介电常数很小的介电质。3.如申请专利范围第1项之在金属层间介电层中形成介层窗的方法,其中所述磁场加强式反应离子蚀刻,其反应气体可为C4F8.CHF3.CF4等碳的氟化物或其混合气体。4.如申请专利范围第3项之在金属层间介电层中形成介层窗的方法,其中所述反应气体的操作气压介于20mTorr至1000mTorr之间。5.如申请专利范围第3项之在金属层间介电层中形成介层窗的方法,其中所述反应气体的离子束面密度在1010cm-2至1011cm-2之间。6.如申请专利范围第1项之在金属层间介电层中形成介层窗的方法,其中所述利用高密度离子体蚀刻技术所进行的蚀刻,系以氧气作为蚀刻气体。7.如申请专利范围第6项之在金属层间介电层中形成介层窗的方法,其中所述氧气的操作气压介于1mTorr至10mTorr之间。8.如申请专利范围第6项之在金属层间介电层中形成介层窗的方法,其中所述氧气离子束面密度在1012cm-2左右。图式简单说明:第一图是一种习知在金属层间介电层中形成介层窗的制程剖面图(虚线区域表示正在进行蚀刻的部份)。第二图是另一种习知在金属层间介电层中形成介层窗的制程剖面图(虚线区域表示正在进行蚀刻的部份)。第三图是本发明中,形成金属内连线和沉积介电层的制程剖面图。第四图是本发明中,进行介层窗内介电层蚀刻的制程剖面图(虚线区域表示正在进行蚀刻的部份)。第五图是本发明中,去除光阻和有机聚合物的制程剖面图(虚线区域表示正在进行蚀刻的部份)。 |
