| 主权项 |
1.一种制备聚聚合物之方法,包括以下步骤:a)提供一种三氟单体,此单体含有两氟基,且此两氟基各以核加以活化;b)提供一种二元醇单体,此单体系呈其双-氧化物盐的形态或是在有能使该二元醇脱质子硷的状态下;以及c)令该二氟单体与该二元醇单体在偶极性溶剂中反应,而形成聚聚合物。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该二氟单体之结构如下:3.如申请专利范围第1项之方法,其中该二元醇单体之结构如下:4.如申请专利范围第1项之方法,其中该二氟单体之结构如下:而该二元醇单体之结构为5.如申请专利范围第1项之方法,其中该二氟单体之结构如下:而该二元醇单体之结构为6.如申请专利范围第1项之方法,其中使用至少两种不同的二氟单体使该聚聚合物为共聚物。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该二元醇单体之结构如下:8.一种制备聚聚合物之方法,包括令一种含有核的氟羟基单体在偶极性溶剂中有硷的情况下聚合而形成该聚聚合物,该核含有一个活化氟基和一个羟基。9.如申请专利范围第8项之方法,其中使用至少两种不同的氟羟基单体使该聚聚合物为共聚物。10.如申请专利范围第8项之方法,进一步包括提供至少一种额外的含有两个以核活化之氟基的二氟单体,以及令此额外单体与该氟羟基单体聚合使该聚聚合物为共聚物。11.如申请专利范围第8项之方法,进一步包括:提供至少一种额外单体,此单体为二元醇单体,系呈其双-氧化物盐形态或是在有能使此二元醇脱质子之硷的状态下;以及令此额外的二元醇单体与该氟羟基单体聚合使该聚聚合物为共聚物。12.一种制备聚聚合物之方法,包括以下步骤:a)提供一种含有核之单体,此核具有一个活化氟基和一个羟基;b)以硷处理该单体以形成氧化物盐;及c)令该单体的氧化物盐在偶极性溶剂中反应而形成聚聚合物。13.一种聚合物,其重复单元中具有至少一个核及至少一个醚链结而且具有氟基或烃基或氟基与羟基之组合作为末端基。14.如申请专利范围第13项之聚合物,其中该聚合物之结构式为其中x为重复单元之数目且为2至1,000,000。15.如申请专利范围第13项之聚合物,其中该聚合物之结构式为其中x为重复单元之数目且为2至1,000,000。16.如申请专利范围第13项之聚合物,其中该聚合物之结构式为其中x为重复单元之数目且为2至1,000,000。17.如申请专利范围第13项之聚合物,其中该聚合物之结构式为其中各个E系分别选自氢,氟及羟基,x为重复单元之数目且为2至1,000,000。18.如申请专利范围第13项之聚合物,其中该聚合物之结构式为其中各个E系分别选自氢,氟及羟基,x为重复单元之数目且为2至1,000,000。19.一种可用于形成聚聚合物之单体,具有以下结构20.一种可用于形成聚聚合物之AB型单体,此单体系选自以下结构:其中Z系选自单键,邻-伸芳基及对-伸芳基,该V-OH基可位于核任一环上之任何位置,V为单键或不阻碍聚合反应之二价基,各个R系分别为不阻碍聚合反应之基,n为0至5之整数。21.如申请专利范围第20项之单体,其中V为单键或选自伸烷基,伸芳基,混合伸烷基/伸芳基,伸烷氧基,伸芳氧基,伸烷羰基,伸芳碳基,伸烷磺醯基,伸芳磺醯基,伸烷硫基,伸芳硫基及伸杂芳基,各个R系分别选自烷基,芳基,芳氧基,烷氧基,酮(-COR"'),甲醯基(-COH),酯(-CO2R'或-OCOR'),醯胺(-NR'COR"或-CONR'R"),杂芳基及氰基,相邻的两R基可选择性彼此链结而形成架桥基,R'与R"系各选自烷基与芳基,R"'系选自烷基,芳基及杂芳基。22.一种多晶片模组,包括一或多层之介电质以及一或多层之金属线,其中该介电质为申请专利范围第13项之聚合物。23.一种电容器,含有一介电膜,此膜含有申请专利范围第13项之聚合物。24.一种纤维,含有申请专利范围第13项之聚合物。25.一种积体电路,含有绝缘介电层,此等绝缘介电层中含有申请专利范围第13项之聚合物。26.一种膜,含有申请专利范围第13项之聚合物。图式简单说明:第一图为本发明多晶片模组之半示意分解截面侧视图。第二图为本发明电容器之半示意分解立体图。第三图为本发明积体电路之半示意截面侧视图。第四图为本发明多单丝纤维的半示意立体图。第五图为本发明一辊可任意置放之膜(free-standingfilm)之半示意立体图。 |
