| 主权项 |
1.一种增加电容値电容器的制造方法,其包括:在一半导体基底之一表面上形成一介电层,该介电层中具有一接触窗开口,暴露出一主动区;在该介电层上形成一导电层,该导电层填入该接触窗开口;在该导电层上形成一绝缘层;定义该绝缘层与该导电层;对该基底形成一半球颗粒复晶矽层,该半球颗粒复晶矽层覆盖该绝缘层、暴露出的该导电层侧壁与该介电层表面;蚀刻该半球颗粒复晶矽层,在该导电层上形成复数个沟渠;以及去除该绝缘层,暴露出该导电层,完成该电容器之一储存节点。2.如申请专利范围第1项所述电容器之制造方法,其中该导电层包括复晶矽层。3.如申请专利范围第1项所述电容器之制造方法,其中该绝缘层包括氧化物层。4.如申请专利范围第3项所述电容器之制造方法,其中该氧化物层包括以加强式电浆化学气相沉积法形成。5.如申请专利范围第1项所述电容器之制造方法,其中该绝缘层厚度约为500-1000A左右。6.如申请专利范围第1项所述电容器之制造方法,其中该介电层包括氧化物层。7.如申请专利范围第1项所述电容器之制造方法,其中去除该绝缘层包括以湿蚀刻法进行。8.如申请专利范围第1项所述电容器之制造方法,其中蚀刻该半球颗粒复晶矽层包括以乾蚀刻法进行。9.如申请专利范围第1项所述电容器之制造方法,其中在蚀刻该半球颗粒复晶矽层时,部分该绝缘层系作为该导电层之蚀刻罩幕。10.如申请专利范围第1项所述之电容器制造方法,其中该半导体基底更包括字元线与位元线等。图式简单说明:第一图A至第一图F系显示根据本发明较佳实施例增加电容値电容器之制造方法。 |
